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2SA1096

Silicon NPN epitaxial planar type(For low-frequency power amplification)

SiliconNPNepitaxialplanartype,Forlow-frequencypoweramplification,Complementaryto2SA1096and2SA1096A Features 1.HighcollectortoemittervoltageVCEO 2.TO-126Bpackagewhichrequiresnoinsulationplateforinstallationtotheheatsink

PanasonicPanasonic Semiconductor

松下松下電器

2SA1096

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION ·WithTO-126package ·Complementtotype2SC2497/2SC2497A APPLICATIONS ·Forlow-frequencypoweramplification

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SA1096

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION ·WithTO-126package ·Complementtotype2SC2497/2SC2497A APPLICATIONS ·Forlow-frequencypoweramplification

SAVANTIC

Savantic, Inc.

2SA1096

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION ·WithTO-126package ·Complementtotype2SC2497/2SC2497A APPLICATIONS ·Forlow-frequencypoweramplification

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

錦美電子泉州錦美電子有限公司

2SA1096

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ?HighCollector-EmitterBreakdownVoltage- V(BR)CEo=-50V(Min) ?GoodLinearityofhFE ?ComplementtoType2SC2497 APPLICATIONS ?Designedforlow-frequencypoweramplification

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

2SA1096

Silicon PNP Power Transistors

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

錦美電子泉州錦美電子有限公司

2SA1096A

Silicon NPN epitaxial planar type(For low-frequency power amplification)

SiliconNPNepitaxialplanartype,Forlow-frequencypoweramplification,Complementaryto2SA1096and2SA1096A Features 1.HighcollectortoemittervoltageVCEO 2.TO-126Bpackagewhichrequiresnoinsulationplateforinstallationtotheheatsink

PanasonicPanasonic Semiconductor

松下松下電器

2SA1096A

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION ·WithTO-126package ·Complementtotype2SC2497/2SC2497A APPLICATIONS ·Forlow-frequencypoweramplification

SAVANTIC

Savantic, Inc.

2SA1096A

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION ·WithTO-126package ·Complementtotype2SC2497/2SC2497A APPLICATIONS ·Forlow-frequencypoweramplification

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

錦美電子泉州錦美電子有限公司

2SA1096A

High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= -60V (Min)

DESCRIPTION ·WithTO-126package ·Complementtotype2SC2497/2SC2497A APPLICATIONS ·Forlow-frequencypoweramplification

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

晶體管資料

  • 型號：

    2SA1096(A)

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    70V

  • 最大電流允許值：

    2A

  • 最大工作頻率：

    150MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    BD246C,2SA1141,2SA1146,2SA1186,2SB655,2SB681,

  • 最大耗散功率：

    5W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    B-21

  • vtest：

    70

  • htest：

    150000000

  • atest：

    2

  • wtest：

    5

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    2SA1096

  • 制造商：

    SAVANTIC

  • 制造商全稱：

    Savantic, Inc.

  • 功能描述：

    Silicon PNP Power Transistors

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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