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2SA1162-GR

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)

AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications ?Highvoltageandhighcurrent:VCEO=?50V,IC=?150mA(max) ?ExcellenthFElinearity:hFE(IC=?0.1mA)/hFE(IC=?2mA) =0.95(typ.) ?HighhFE:hFE=70~400 ?Lownoise:NF=1dB(typ.),

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SA1162-GR

PNP Silicon Plastic-Encapsulate Transistor

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

2SA1162-GR,LF

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS PNP 50V 0.15A SMINI

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162-GR,LXHF

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS PNP 50V 0.15A SMINI

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162-O

PNPSiliconPlastic-EncapsulateTransistor

Features ?Capableof0.15WattsofPowerDissipation. ?Collector-current:0.15A ?Collector-baseVoltage:-50V ?Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:-55°Cto+150°C ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoisureSensitivityLevel1 ????????LeadFreeFinish/RoHS

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

2SA1162-O

PNPTransistors

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

2SA1162-O

PNPSiliconPlastic-EncapsulateTransistor

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

2SA1162-O

PNPTransistors

■Features ●Highvoltageandhighcurrent ●HighhFE:hFE=70~400 ●Lownoise:NF=1dB(typ.),10dB(max) ●Complementaryto2SC2712

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司

2SA1162-O-HF

PNPTransistors

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

2SA1162S-Y-LF

TOSHIBATransistorSiliconPNPEpitaxialType(PCTprocess)

AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications ?Highvoltageandhighcurrent:VCEO=?50V,IC=?150mA(max) ?ExcellenthFElinearity:hFE(IC=?0.1mA)/hFE(IC=?2mA) =0.95(typ.) ?HighhFE:hFE=70~400 ?Lownoise:NF=1dB(typ.),

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SA1162-Y

PNPTransistors

■Features ●Highvoltageandhighcurrent ●HighhFE:hFE=70~400 ●Lownoise:NF=1dB(typ.),10dB(max) ●Complementaryto2SC2712

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司

2SA1162-Y

TOSHIBATransistorSiliconPNPEpitaxialType(PCTprocess)

AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications ?Highvoltageandhighcurrent:VCEO=?50V,IC=?150mA(max) ?ExcellenthFElinearity:hFE(IC=?0.1mA)/hFE(IC=?2mA) =0.95(typ.) ?HighhFE:hFE=70~400 ?Lownoise:NF=1dB(typ.),

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SA1162-Y

PNPSiliconPlastic-EncapsulateTransistor

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

2SA1162-Y

PNPTransistors

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

2SA1162-Y-HF

PNPTransistors

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    2SA1162-GR

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT INCORRECT MOUSER P/N

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
TOSHIBA/東芝
24+
TO-23
45000
熱賣優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨
 詢價(jià)
TOSHIBA
16+
TO-23
12000
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨/價(jià)格優(yōu)勢(shì)!
 詢價(jià)
TOSHIBA
16+
TO-23
12000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價(jià)
TOSHIBA/東芝
2021+
SOT23
5880
只做原裝優(yōu)勢(shì)渠道可全系列訂貨開增值稅票
 詢價(jià)
TOS
14+無(wú)鉛
SOT-23
25700
優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品,博盛微熱賣!!!
 詢價(jià)
東芝|Toshiba
2020+
SOT23
12000
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可
 詢價(jià)
TOSHIBA/東芝
21+
SOT-23
9800
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!
 詢價(jià)
TOSHIBA/東芝
2004+
TO-23
12000
原裝正品 可含稅交易
 詢價(jià)
TOSHIBA/東芝
2021+
SOT-23
9000
原裝現(xiàn)貨,隨時(shí)歡迎詢價(jià)
 詢價(jià)
TOSHIBA/東芝
24+
TO23
7906200
一站配齊,原盒原包現(xiàn)貨原廠一手渠道聯(lián)系
 詢價(jià)
更多2SA1162-GR供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-10-28 10:11:00

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