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2SA1162-Y,LXHF

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS PNP 50V 0.15A SMINI

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162

SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage

Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features Highvoltageandcurrent,excellenthFElinearity,highhFE,lownoise,complementaryto2SC2712. Applications Audiofrequencygeneralpurposeamplifierapplications.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司

2SA1162

Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES Lownoise:NF=1dB(Typ.),10dB(Max.) Complementaryto2SC2712. SmallPackage.

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰電子有限公司

2SA1162

PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR

PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR LOWFREQRENCY,LOWNOISEAMPLIFIER ?Complemento2SC2712 ?Collector-current:Ic=-100mA Collector-EmillerVoltage:VCE=-45V

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳實業(yè)深圳市永而佳實業(yè)有限公司

2SA1162

PNPGeneralPurposeTransistor

FEATURES PNPGeneralPurposeTransistor

GSMEGuilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd.

桂微桂林斯壯桂微電子有限責(zé)任公司

2SA1162

SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Lownoise ●Complementaryto2SC2712 ●SmallPackage

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

2SA1162

TOSHIBATransistorSiliconPNPEpitaxialType(PCTprocess)

AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications ?Highvoltageandhighcurrent:VCEO=?50V,IC=?150mA(max) ?ExcellenthFElinearity:hFE(IC=?0.1mA)/hFE(IC=?2mA) =0.95(typ.) ?HighhFE:hFE=70~400 ?Lownoise:NF=1dB(typ.),

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SA1162

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd.

銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司

2SA1162

TOSHIBATransistorSiliconPNPEpitaxialType(PCTprocess)

AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications ?Highvoltageandhighcurrent:VCEO=?50V,IC=?150mA(max) ?ExcellenthFElinearity:hFE(IC=?0.1mA)/hFE(IC=?2mA) =0.95(typ.) ?HighhFE:hFE=70~400 ?Lownoise:NF=1dB(typ.),

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SA1162

Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES .Lownoise .Complementaryto2SC2712 .SmallPackage

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

2SA1162

SiliconPNPEpitaxialTypeTransistor

■Features ●Highvoltageandhighcurrent ●HighhFE:hFE=70~400 ●Lownoise:NF=1dB(typ.),10dB(max) ●Complementaryto2SC2712

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

2SA1162

TRANSISTOR(PNP)

FEATURES .Lownoise:NF=1dB(Typ.),10dB(Max.) .Complementaryto2SC2712. .SmallPackage. MARKING:SO,SY,SG

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金譽半導(dǎo)體深圳市金譽半導(dǎo)體股份有限公司

2SA1162

PNPSiliconGeneralPurposeTransistor

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

2SA1162

PNPSiliconGeneralPurposeTransistor

FEATURES ?LowNoise:NF=1dB(Typ.),10dB(Max.) ?Complementsofthe2SC2712 MECHANICALDATA ?Case:SOT-23,MoldedPlastic ?Weight:0.008grams(approx.)

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

2SA1162

Plastic-EncapsulatedTransistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:150mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:150mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:-50V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

TEL

TRANSYS Electronics Limited

2SA1162

AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SA1162

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

FEATURES ●Lownoise:NF=1dB(Typ),10dB(Max). ●Commplementaryto2SC2712. ●Smallpackage. APPLICATIONS ●Generalpurposeapplication.

BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd.

銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司

2SA1162

AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SA1162

TRANSISTOR(AUDIOFREQUENCYGENERALPURPOSEAMPLIFIERAPPLICATIONS)

AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications ?Highvoltageandhighcurrent:VCEO=?50V,IC=?150mA(max) ?ExcellenthFElinearity:hFE(IC=?0.1mA)/hFE(IC=?2mA) =0.95(typ.) ?HighhFE:hFE=70~400 ?Lownoise:NF=1dB(typ.),

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SA1162

NewJerseySemi-ConductorProducts,

NewJerseySemi-ConductorProducts

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    2SA1162-Y,LXHF

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    300mV @ 10mA，100mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    120 @ 2mA，6V

  • 頻率 - 躍遷：

    80MHz

  • 工作溫度：

    125°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    S-Mini

  • 描述：

    TRANS PNP 50V 0.15A SMINI

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
TOSHIBA
21+
N/A
2500
進口原裝,優(yōu)勢現(xiàn)貨
 詢價
TOSHIBA
100
詢價
24+
N/A
56000
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇
 詢價
TOSHIBA
24+
con
10000
查現(xiàn)貨到京北通宇商城
 詢價
TOSHIBA
22+
SOT-23
60000
原包裝原標現(xiàn)貨,假一罰十,
 詢價
TOSHIBA
24+
SOT-23
15000
原裝原標原盒 給價就出 全網(wǎng)最低
 詢價
TOSHIBA
21+
SOT23
330000
原裝現(xiàn)貨假一賠十
 詢價
TOSHIBA
24+
SOT23
56000
公司進口原裝現(xiàn)貨 批量特價支持
 詢價
TOSHIBA
22+
SOT23
3000
絕對原裝現(xiàn)貨 歡迎來電查詢
 詢價
TOS
2021++
原廠原裝
36500
全新進口原裝現(xiàn)貨
 詢價
更多2SA1162-Y,LXHF供應(yīng)商 更新時間2023-10-9 11:26:00

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