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2SA1162YT1	文件：50.1 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Amplifier Transistors ?MoistureSensitivityLevel:1 ?ESDRating:TBD	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
2SA1162YT1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：散裝封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 類別：分立半導體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個描述：TRANS PNP 50V 0.15A SC59	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
2SA1162	文件：699.19 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features Highvoltageandcurrent,excellenthFElinearity,highhFE,lownoise,complementaryto2SC2712. Applications Audiofrequencygeneralpurposeamplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司	FOSHAN
2SA1162	文件：200.74 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Lownoise:NF=1dB(Typ.),10dB(Max.) Complementaryto2SC2712. SmallPackage.	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰電子有限公司	HOTTECH
2SA1162	文件：98.23 Kbytes Page：1 Pages	PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR LOWFREQRENCY,LOWNOISEAMPLIFIER ?Complemento2SC2712 ?Collector-current:Ic=-100mA Collector-EmillerVoltage:VCE=-45V	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳實業(yè)深圳市永而佳實業(yè)有限公司	WINNERJOIN
2SA1162	文件：222.34 Kbytes Page：2 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor FEATURES PNPGeneralPurposeTransistor	GSMEGuilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. 桂微桂林斯壯桂微電子有限責任公司(簡稱‘桂微’)	GSME
2SA1162	文件：1.11548 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Lownoise ●Complementaryto2SC2712 ●SmallPackage	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
2SA1162	文件：189.37 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBATransistorSiliconPNPEpitaxialType(PCTprocess) AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications ?Highvoltageandhighcurrent:VCEO=?50V,IC=?150mA(max) ?ExcellenthFElinearity:hFE(IC=?0.1mA)/hFE(IC=?2mA) =0.95(typ.) ?HighhFE:hFE=70~400 ?Lownoise:NF=1dB(typ.),	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SA1162	文件：195.07 Kbytes Page：3 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世紀微電子常州銀河世紀微電子股份有限公司	BILIN
2SA1162	文件：178.67 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBATransistorSiliconPNPEpitaxialType(PCTprocess) AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications ?Highvoltageandhighcurrent:VCEO=?50V,IC=?150mA(max) ?ExcellenthFElinearity:hFE(IC=?0.1mA)/hFE(IC=?2mA) =0.95(typ.) ?HighhFE:hFE=70~400 ?Lownoise:NF=1dB(typ.),	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SA1162	文件：836.19 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES .Lownoise .Complementaryto2SC2712 .SmallPackage	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
2SA1162	文件：312.92 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES .Lownoise:NF=1dB(Typ.),10dB(Max.) .Complementaryto2SC2712. .SmallPackage. MARKING:SO,SY,SG	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金譽半導體深圳市金譽半導體股份有限公司	HTSEMI
2SA1162	文件：332.12 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconGeneralPurposeTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SA1162	文件：324.09 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconGeneralPurposeTransistor FEATURES ?LowNoise:NF=1dB(Typ.),10dB(Max.) ?Complementsofthe2SC2712 MECHANICALDATA ?Case:SOT-23,MoldedPlastic ?Weight:0.008grams(approx.)	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SA1162	文件：69.45 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:150mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:150mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:-50V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2SA1162	文件：104.56 Kbytes Page：3 Pages	AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SA1162	文件：270.47 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Lownoise:NF=1dB(Typ),10dB(Max). ●Commplementaryto2SC2712. ●Smallpackage. APPLICATIONS ●Generalpurposeapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世紀微電子常州銀河世紀微電子股份有限公司	BILIN
2SA1162	文件：391.18 Kbytes Page：3 Pages	AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SA1162	文件：153.83 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(AUDIOFREQUENCYGENERALPURPOSEAMPLIFIERAPPLICATIONS) AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications ?Highvoltageandhighcurrent:VCEO=?50V,IC=?150mA(max) ?ExcellenthFElinearity:hFE(IC=?0.1mA)/hFE(IC=?2mA) =0.95(typ.) ?HighhFE:hFE=70~400 ?Lownoise:NF=1dB(typ.),	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SA1162	文件：227.58 Kbytes Page：1 Pages	NewJerseySemi-ConductorProducts, NewJerseySemi-ConductorProducts	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
2SA1162YT1
制造商：
onsemi
類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
包裝：
散裝
晶體管類型：
PNP
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
300mV @ 10mA，100mA
電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 2mA，6V
頻率 - 躍遷：
80MHz
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商器件封裝：
SC-59
描述：
TRANS PNP 50V 0.15A SC59

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市鵬順微電子科技有限公司	2SA1162YT1	ON Semiconductor	2022+	SC-59	38550	全新原裝支持表配單中國著名電子元器件獨立分銷	詢價
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	2SA1162YT1	onsemi	24+	TO-236-3 SC-59 SOT-23-3	9350	獨立分銷商公司只做原裝誠心經(jīng)營免費試樣正品保證	詢價
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	2SA1162Y-T1P-J	TP/拓品微電子	22+	SOT23	12000	只做原裝、原廠優(yōu)勢渠道、假一賠十	詢價
深圳市辰德隆電子科技有限公司	2SA1162Y-T1P-J	TP/拓品微電子	23+	SOT23	6000	只有原裝正品,老板發(fā)話合適就出	詢價
深圳市明嘉萊科技有限公司	2SA1162Y-T1P-J	TP/拓品微電子	24+	SOT23	990000	明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨	詢價
深圳市聯(lián)世界科技有限公司（原深創(chuàng)輝科技）	2SA1162YT5LM	TOSHIBA			2900	原裝正品長期供貨，如假包賠包換徐小姐13714450367	詢價
深圳市振宏微科技有限公司	2SA1162YT5LM	TOSHIBA	23+	NA	19666	專做原裝正品,假一罰百!	詢價
深圳市振鑫微電子科技有限公司	2SA1162YT5LM	TOSHIBA	23+		589610	新到現(xiàn)貨原廠一手貨源價格秒殺代理!	詢價
深圳市藍山航業(yè)科技有限公司	2SA1162YT5LM	tosh	24+		500000	行業(yè)低價,代理渠道	詢價
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	2SA1162YTE85L	TOSHIBA/東芝	23+		5000	原廠授權代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道?？商峁┐罅繋齑?詳	詢價

更多2SA1162Y供應商更新時間2024-11-7 15:00:00

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