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2SA1201-O-AP	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：TO-243AA 類別：分立半導體產品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個描述：TRANS PNP 120V 0.8A SOT89	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導體股份有限公司	MCC
2SA1201	文件：351.63 Kbytes Page：2 Pages	SOT-89Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Highvoltage Hightransitionfrequency	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威倫威倫電子股份有限公司	WILLAS
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2SA1201	文件：209 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ●Highvoltage ●Hightransitionfrequency ●Smallflatpackage ●Complementaryto2SC2881	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司	BILIN
2SA1201	文件：1.59696 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Highvoltage ●Hightransitionfrequency ●Complementaryto2SC2881	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
2SA1201	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SA1201	文件：77.65 Kbytes Page：2 Pages	SILICONPNPEPITAXIALTRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2SA1201	文件：227.58 Kbytes Page：1 Pages	NewJerseySemi-ConductorProducts, NewJerseySemi-ConductorProducts	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司	NJSEMI
2SA1201	文件：918.56 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-89PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-89PlasticPackage. Features HighfT,highVCEO,smallflatpackage,complementarypairwith2SC2881. Applications Poweramplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司	FOSHAN
2SA1201	文件：145.26 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司	BILIN
2SA1201	文件：282.15 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES Highvoltage Hightransitionfrequency Complementaryto2SC2881	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金譽半導體深圳市金譽半導體股份有限公司	HTSEMI
2SA1201	文件：232.02 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Highvoltage ●Hightransitionfrequency ●Complementaryto2SC2881	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SA1201	文件：146.86 Kbytes Page：4 Pages	VoltageAmplifierApplicationsPowerAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SA1201	文件：158.83 Kbytes Page：4 Pages	VoltageAmplifierApplicationsPowerAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SA1201	文件：366.99 Kbytes Page：2 Pages	VoltageAmplifierApplications Features ●HighVoltage:VCEO=-120V ●HighTransitionFrequency:fT=120MHz(typ.) ●SmallFlatPackage ●Complementaryto2SC2881	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
2SA1201	文件：63.49 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors FEATURES Powerdissipation PCM:500mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-800mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:-120V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2SA1201	文件：99.78 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPNPEPITAXIALTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SA1201isdesignedforpoweramplifierandvoltageamplifierapplications. FEATURES Highvoltage:VCEO=-120V Hightransitionfrequency:fT=120MHz(typ.) *Pc=1to2W(mountedonceramicsubstrate)	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2SA1201	文件：155.71 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS) VoltageAmplifierApplications PowerAmplifierApplications ?Highvoltage:VCEO=?120V ?Hightransitionfrequency:fT=120MHz(typ.) ?Smallflatpackage ?PC=1to2W(mountedonaceramicsubstrate) ?Complementaryto2SC2881	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SA1201	文件：1.6273 Mbytes Page：2 Pages	Highvoltage,Hightranstitionfrequency FEATURES Highvoltage Hightransitionfrequency Complementaryto2SC2881	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科廣東時科微實業(yè)有限公司	SKTECHNOLGY
2SA1201	文件：501.2 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Highvoltage Hightransitionfrequency Smallflatpackage Complementaryto2SC2881	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ

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產品屬性

產品編號：
2SA1201-O-AP
制造商：
Micro Commercial Co
類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
包裝：
卷帶（TR）
晶體管類型：
PNP
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
1V @ 50mA，500mA
電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 100mA，5V
頻率 - 躍遷：
120MHz
工作溫度：
150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
TO-243AA
供應商器件封裝：
SOT-89
描述：
TRANS PNP 120V 0.8A SOT89

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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