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2SA1201分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2SA1201
廠商型號(hào)

2SA1201
參數(shù)屬性

2SA1201 封裝/外殼為TO-243AA；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：PB-F POWER TRANSISTOR PW-MINI PD
功能描述

TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
封裝外殼

TO-243AA
文件大小

155.71 Kbytes
頁面數(shù)量

2 頁
生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA【東芝】

中文名稱

株式會(huì)社東芝官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-4 9:30:00
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晶體管資料

  • 型號(hào)：

    2SA1201

  • 別名：

    2SA1201三極管、2SA1201晶體管、2SA1201晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質(zhì)：

    表面帖裝型 （SMD）_通用型 （Uni）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    120V

  • 最大電流允許值：

    0.8A

  • 最大工作頻率：

    120MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    2SB806,2SB1025,3CA1F,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    H-100

  • vtest：

    120

  • htest：

    120000000

  • atest：

    0.8

  • wtest：

    0

2SA1201規(guī)格書詳情

Voltage Amplifier Applications

Power Amplifier Applications

? High voltage: VCEO = ?120 V

? High transition frequency: fT = 120 MHz (typ.)

? Small flat package

? PC = 1 to 2 W (mounted on a ceramic substrate)

? Complementary to 2SC2881

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    2SA1201-Y(TE12L,ZC

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    1V @ 50mA，500mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    80 @ 100mA，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    120MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-243AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PW-MINI

  • 描述：

    PB-F POWER TRANSISTOR PW-MINI PD

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
MCC/美微科
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