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2SA1242分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

2SA1242
廠商型號

2SA1242

參數(shù)屬性

2SA1242 封裝/外殼為TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA;包裝為散裝;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP 20V 5A PW-MOLD

功能描述

Silicon PNP Power Transistor

封裝外殼

TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA

文件大小

305.59 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-5 12:20:00

晶體管資料

  • 型號:

    2SA1242

  • 別名:

    2SA1242三極管、2SA1242晶體管、2SA1242晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性質:

    開關管 (S)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    35V

  • 最大電流允許值:

    5A

  • 最大工作頻率:

    170MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    2SA1244,2SA1401,2SB967,2SB1203,2SB1204,

  • 最大耗散功率:

    10W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    A-80

  • vtest:

    35

  • htest:

    170000000

  • atest:

    5

  • wtest:

    10

2SA1242規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

·hFE=100-320(IC= -0.5A; VCE= -2V)

·hFE=70(Min)(IC= -4A; VCE= -2V)

·Low Collector-Emitter Saturation Voltage-

: VCE(sat)= -1.0V(Max)( IC= -4A; IB= -0.1A)

··High Power Dissipation-

: PC= 10W@TC=25℃,PC= 10W@Ta=25℃

APPLICATIONS

·For medium power amplifier and strobe flash applications

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2SA1242-Y(Q)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1V @ 100mA,4A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    160 @ 500mA,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    170MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA

  • 供應商器件封裝:

    PW-MOLD

  • 描述:

    TRANS PNP 20V 5A PW-MOLD

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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TO-251S
15972
原裝正品現(xiàn)貨,可開13點稅
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