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2SA1709T-AN分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

2SA1709T-AN
廠商型號

2SA1709T-AN

參數(shù)屬性

2SA1709T-AN 封裝/外殼為SC-71;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP 100V 2A 3NMP

功能描述

Bipolar Transistor High breakdown voltage, large current capacity
TRANS PNP 100V 2A 3NMP

封裝外殼

SC-71

文件大小

623.82 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-22 20:00:00

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2SA1709T-AN規(guī)格書詳情

2SA1709T-AN屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的2SA1709T-AN晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

Bipolar Transistor (-)100V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single NMP

Features

? Adoption of FBET, MBIT processes

? High breakdown voltage, large current capacity

? Fast switching speed

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    2SA1709T-AN

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    600mV @ 100mA,1A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 100mA,10V

  • 頻率 - 躍遷:

    120MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    SC-71

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    3-NMP

  • 描述:

    TRANS PNP 100V 2A 3NMP

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