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2SA1900

iscSiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=-50V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat)=-0.4V(Max)@IC=-500mA

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SA1900

Mediumpowertransistor

Features ●Lowsaturationvoltage,typicallyVCE(sat)=-0.15VatIC/IB=-500mA/-50mA ●PC=2W(on40X40X0.7mmceramicboard)

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

2SA1900

MediumPowerTransistor(-50V,-1A)

Features 1)Lowsaturationvoltage,typicallyVCE(sat)=?0.15VatIC/IB=?500mA/?50mA 2)PC=2W(on40×40×0.7mmceramicboard) 3)Complementsthe2SC5053

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SA1900U

PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor

SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技(東莞)有限公司

晶體管資料

  • 型號:

    2SA1900Q

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性質(zhì):

    表面帖裝型 (SMD)_LO_SAT

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    60V

  • 最大電流允許值:

    1A

  • 最大工作頻率:

    150MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍數(shù):

    β=120-270

  • 圖片代號:

    H-100

  • vtest:

    60

  • htest:

    150000000

  • atest:

    1

  • wtest:

    0

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