2SA1930,ONKQ(J_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個-Toshiba Semiconductor and Storage

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原廠料號:2SA1930,ONKQ(J品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

資料說明:TRANS PNP 180V 2A TO220NIS

2SA1930,ONKQ(J是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生產(chǎn)封裝TO-220-3 整包的2SA1930,ONKQ(J晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

  • 芯片型號:

    2sa1930,onkq(j

  • 規(guī)格書:

    原廠下載 下載

  • 資料說明:

    TRANS PNP 180V 2A TO220NIS

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    2SA1930,ONKQ(J

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1V @ 100mA,1A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    5μA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 100mA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    200MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220NIS

  • 描述:

    TRANS PNP 180V 2A TO220NIS

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Toshiba Semiconductor and Stor
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