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2SA2029M3T5G分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

2SA2029M3T5G
廠商型號

2SA2029M3T5G

參數(shù)屬性

2SA2029M3T5G 封裝/外殼為SOT-723;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產品描述:TRANS PNP 50V 0.1A SOT723

功能描述

PNP Silicon General Purpose Amplifier Transistor
TRANS PNP 50V 0.1A SOT723

封裝外殼

SOT-723

文件大小

49.3 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-10 11:08:00

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2SA2029M3T5G規(guī)格書詳情

2SA2029M3T5G屬于分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由安森美半導體公司制造生產的2SA2029M3T5G晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言,它們仍然是首選技術。

This PNP transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the SOT?723 package which is designed for low power surface mount applications, where board space is at a premium.

Features

? Reduces Board Space

? High hFE, 210?460 (Typical)

? Low VCE(sat), < 0.5 V

? ESD Performance: Human Body Model; > 2000 V,

Machine Model; > 200 V

? Available in 4 mm, 8000 / Tape & Reel

? NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

Unique Site and Control Change Requirements; AEC?Q101

Qualified and PPAP Capable

? These are Pb?Free Devices

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    2SA2029M3T5G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    500mV @ 5mA,50mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500pA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 1mA,6V

  • 頻率 - 躍遷:

    140MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SOT-723

  • 供應商器件封裝:

    SOT-723

  • 描述:

    TRANS PNP 50V 0.1A SOT723

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
三年內
1983
只做原裝正品
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24+
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58000
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SOT-723-3
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