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2SA2061分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

2SA2061
廠商型號

2SA2061

參數(shù)屬性

2SA2061 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:PB-F POWER TRANSISTOR TSM MOQ=30

功能描述

Silicon PNP Epitaxial Type

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

169.02 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-6 22:59:00

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2SA2061規(guī)格書詳情

High-Speed Switching Applications

DC-DC Converter Applications

Strobe Applications

? High DC current gain: hFE = 200 to 500 (IC = 0.5 A)

? Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = ?0.19 V (max)

? High-speed switching: tf = 40 ns (typ.)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2SA2061(TE85L,F)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    190mV @ 53mA,1.6A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 500mA,2V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應商器件封裝:

    TSM

  • 描述:

    PB-F POWER TRANSISTOR TSM MOQ=30

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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