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PNP Silicon Epitaxial Transistor Features ●HighDCcurrentgain. | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司 | KEXIN | ||
AUDIO FREQUENCY HIGH GAIN AMPLIFIER PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD? AUDIOFREQUENCYHIGHGAINAMPLIFIERPNPSILICONEPITAXIALTRANSISTORMINIMOLD FEATURE ●HighDCCurrentGain:hFE500TYP.(VCE=-6.0V,IC=-1.0mA) | NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社 | NEC | ||
AUDIO FREQUENCY,GENERAL PURPOSE AMPLIFIER PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD FEATURES ?Complementaryto2SC1623 ?HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=?6.0V,IC=?1.0mA)) ?HighVoltage:VCEO=?50V | NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社 | NEC | ||
Marking：M4/M5/M6/M7；Package：SOT-23；Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ●Commplementaryto2SC1623. ●HighDCcurrentgain:hFE=200typ. (VCE=-6.0V,IC=-1.0mA) ●HighVoltage:VCEO=-50V. APPLICATIONS ●Audiofrequency,generalpurposeamplifier. | LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司 | LUGUANG | ||
Marking：HFE；SILICON TRANSISTOR PNPSILICONEPITAXIALTRANSISTOR MINIMOLD FEATURES ?Complementaryto2SC1623 ?HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=?6.0V,IC=?1.0mA) ?HighVoltage:VCEO=?50V ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TA=25°C) CollectortoBaseVoltageVCBO?60V CollectortoEmitterVoltageVCEO?50 | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
Plastic-Encapsulate Transistors Features: 1.hFEishigh,hFE=200(TYP)VCE=-6V,IC=-1mA; 2.Highvoltage,VCEO=-50V; Applications: Forgeneralamplification,itiscomplementaryto2SC1623. | SHENZHENSLSSHENZHEN SLS TECHNOLOGY CO.,LTD. 三聯(lián)盛科技股份深圳市三聯(lián)盛科技股份有限公司 | SHENZHENSLS | ||
Marking：M6；Package：SOT-23；Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ?Commplementaryto2SC1623. ?HighDCcurrentgain:hFE=200typ.(VCE=-6.0V,IC=-1.0mA) ?HighVoltage:VCEO=-50V. APPLICATIONS ?Audiofrequency,generalpurposeamplifier. | SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司 | SKTECHNOLGY | ||
Plastic-Encapsulated Transistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.2W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-0.1A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-60V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃ | TEL TRANSYS Electronics Limited | TEL | ||
PNP General Purpose Transistors PNPGeneralPurposeTransistors P/bLead(Pb)-Free | WEITRON Weitron Technology | WEITRON | ||
PNP Silicon Epitaxial Transistor Features ●HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=-6.0V,IC=-1.0mA) ●HighVoltage:VCEO=-50V | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司 | KEXIN |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性質(zhì)：
表面帖裝型 （SMD）_通用型 （Uni）
- 封裝形式：
貼片封裝
- 極限工作電壓：
60V
- 最大電流允許值：
0.1A
- 最大工作頻率：
180MHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
BC856,BCW68,BCW89,BCX17,2SA1311,3CG110C,
- 最大耗散功率：
0.2W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
H-15
- vtest：
60
- htest：
180000000
- atest：
0.1
- wtest：
0.2
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
2SA81
- 制造商：
Panasonic Industrial Company
- 功能描述：
TRANSISTOR
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
2015+ |
4000 |
公司現(xiàn)貨庫存 |
詢價(jià) | ||||
2015+ |
4000 |
公司現(xiàn)貨庫存 |
詢價(jià) | ||||
LRC/藍(lán)箭 |
SOT23 |
1000000 |
2012 |
詢價(jià) | |||
NEC |
14+無鉛 |
SOT-23 |
25700 |
優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品,博盛微熱賣!!! |
詢價(jià) | ||
長電/長晶 |
23+ |
SOT-23 |
120000 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
RENESAS/瑞薩 |
20+ |
SOT-23 |
120000 |
原裝正品 可含稅交易 |
詢價(jià) | ||
CJ/長電 |
2021+ |
SOT-23 |
9000 |
原裝現(xiàn)貨,隨時(shí)歡迎詢價(jià) |
詢價(jià) | ||
長電 |
2024 |
SOT-23 |
8230 |
16余年資質(zhì) 絕對(duì)原盒原盤代理渠道 更多數(shù)量 |
詢價(jià) | ||
NEC |
24+ |
SOT23 |
18000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) | ||
NEC |
23+ |
SOT-23 |
30000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) |
