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2SA821

Plastic-EncapsulatedTransistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.25W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-0.03A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-210V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃

TEL

TRANSYS Electronics Limited

2SA821

TRANSISTOR(PNP)

TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.25W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-0.03A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-210V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

2SA821

TRANSISTOR(PNP)

FEATURES PowerdissipationPCM:0.25W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-0.03A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-210V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司

2SA821

PNPPlasticEncapsulatedTransistor

FEATURES ●HighBreakdownVoltage ●LowTransitionFrequency

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

2SA821S

TRANSISTOR(PNP)

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司

2SA821S

TO-92SPlastic-EncapsulateTransistors

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

2SA821S

Plastic-EncapsulatedTransistors

Plastic-EncapsulatedTransistors FEATURES Powerdissipation PD:0.25W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.03A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-210V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

TEL

TRANSYS Electronics Limited

2SA821S

HIGHVOLTAGEAMPLIFIERTRANSISTOR

High-voltageAmplifierTransistor(?210V,?30mA) Features 1)Highbreakdownvoltage,(VCER=?210V) 2)Complementsthe2SC1651S.

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
ROHM
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原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢(shì)訂貨渠道。可提供大量庫存,詳
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東芝
24+
TO-92
5000
詢價(jià)
更多2SA821S-Q供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-24 14:57:00

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