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2SA949

iscSiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=-150V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat)=-0.8V(Max)@IC=-10mA APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifier,highspeedswitchingand regulatedpowersupplyapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SA949

Driver-StageAudioAmplifierApplicationsHigh-VoltageSwitchingApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SA949

TRANSISTOR(DRIVERSTAGEAUDIOAMPLIFIER,HIGHVOLTAGESWITCHINGAPPLICATIONS)

Driver-StageAudioAmplifierApplications High-VoltageSwitchingApplications ?Highbreakdownvoltage:VCEO=?150V ?Lowoutputcapacitance:Cob=5.0pF(max) ?Hightransitionfrequency:fT=120MHz(typ.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    2SA949-Y(F)

  • 制造商:

    Toshiba America Electronic Components

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
TOSHIBA
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Toshiba Semiconductor and Stor
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獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
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TOSHIBA/東芝
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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TOSHIBA/東芝
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原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
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詢價(jià)
更多2SA949-Y(F)供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-18 14:30:00