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2SB1123S-TD-E

Bipolar Transistor (??50V, (??2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP

Features ?AdoptionofFBET,MBITprocesses ?Lowcollector-to-emittersaturationvoltage ?LargecurrentcapacityandwideASO ?Fastswitchingspeed ?Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheappliedhybridIC’sfurtherminiaturization Applicaitons ?

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

2SB1123S-TD-E

Bipolar Transistor (-)50V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP

Features ?AdoptionofFBET,MBITprocesses ?Lowcollector-to-emittersaturationvoltage ?LargecurrentcapacityandwideASO ?Fastswitchingspeed ?Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheappliedhybridIC’sfurtherminiaturization Applicaitons ?

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

2SB1123S-TD-E

Package：TO-243AA；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS PNP 50V 2A PCP

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

2SB1123

BipolarTransistor(??50V,(??2A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSinglePCP

Features ?AdoptionofFBET,MBITprocesses ?Lowcollector-to-emittersaturationvoltage ?LargecurrentcapacityandwideASO ?Fastswitchingspeed ?Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheappliedhybridIC’sfurtherminiaturization Applicaitons ?

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

2SB1123

High-CurrentSwitchingApplications

PNP/NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistors Features ?AdoptionofFBET,MBITprocesses. ?Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ?LargecurrentcapacityandwideASO. ?Fastswitchingspeed. ?Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheapplied

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機株式會社

2SB1123

BipolarTransistor(-)50V,(-)2A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSinglePCP

Features ?AdoptionofFBET,MBITprocesses ?Lowcollector-to-emittersaturationvoltage ?LargecurrentcapacityandwideASO ?Fastswitchingspeed ?Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheappliedhybridIC’sfurtherminiaturization Applicaitons ?

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

2SB1123

High-CurrentSwitchingApplications

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機株式會社

2SB1123

High-CurrentSwitchingApplications

■Features ●Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ●LargecurrentcapacityandwideASO. ●Fastswitchingspeed. ●Complementaryto2SD1623

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

2SB1123

High-CurrentSwitchingApplications

PNP/NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistors Features ?AdoptionofFBET,MBITprocesses. ?Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ?LargecurrentcapacityandwideASO. ?Fastswitchingspeed. ?Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheapplied

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機株式會社

2SB1123

PNPTransistor

■Features ●Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ●LargecurrentcapacityandwideASO. ●Fastswitchingspeed. ●Complementaryto2SD1623

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風微電子廣東佑風微電子有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    2SB1123S-TD-E

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    700mV @ 50mA，1A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    100 @ 100mA，2V

  • 頻率 - 躍遷：

    150MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-243AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PCP

  • 描述：

    TRANS PNP 50V 2A PCP

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
onsemi(安森美)
23+
SOT-89
1612
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
 詢價
SANYO/三洋
2019+
SOT89
36000
原盒原包裝 可BOM配套
 詢價
ON/安森美
23+
SOT-89
100586
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費!
 詢價
ON/安森美
24+
SOT89
7906200
一站配齊,原盒原包現(xiàn)貨原廠一手渠道聯(lián)系
 詢價
ON/安森美
24+
SOT-89
505348
免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
 詢價
SANYO
2016+
SOT89
6000
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
 詢價
SANYO
23+
SOT-89
8890
價格優(yōu)勢、原裝現(xiàn)貨、客戶至上。歡迎廣大客戶來電查詢
 詢價
ONSemiconductor
24+
NA
3000
進口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)
 詢價
SANYO
1822+
SOT-89
6852
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風險!!
 詢價
安森美
21+
12588
原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)勢
 詢價
更多2SB1123S-TD-E供應(yīng)商 更新時間2025-3-3 13:37:00

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