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2SB1132_10

PNP Silicon Medium Power Transistor

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

2SB1132T100P

Medium Power Transistor (-32V,??1A)

MediumPowerTransistor(-32V,-1A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.2V(Typ.) (IC/IB=-500mA/-50mA) 2)Compliments2SD1664/2SD1858 Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

2SB1132T100P

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：TO-243AA 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS PNP 32V 1A MPT3

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

2SB1132T100Q

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：TO-243AA 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS PNP 32V 1A MPT3

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

2SB1132T100R

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼：TO-243AA 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS PNP 32V 1A MPT3

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

詳細參數(shù)

  • 型號：

    2SB1132_10

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT DVR PNP 32V 1A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ROHM
05+
SOT89
1200
全新原裝進口自己庫存優(yōu)勢
 詢價
R0HM
1215+
SOT-89
150000
全新原裝,絕對正品,公司大量現(xiàn)貨供應.
 詢價
24+
2000
全新
 詢價
ROHM
2022
SOT89
4253
原廠原裝正品,價格超越代理
 詢價
ROHM
16+
SOT89
3000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
ROHM
23+
TR
12335
詢價
ROHM
SOT89
2860
正品原裝--自家現(xiàn)貨-實單可談
 詢價
ROHM
23+
進口原裝
8811
全新原裝熱賣/假一罰十!更多數(shù)量可訂貨
 詢價
ROHM
2016+
SOT-89
6600
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
 詢價
ROHM
2020+
SOT89
7662
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價
更多2SB1132_10供應商 更新時間2024-11-16 9:30:00

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