2SB1143T分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
2SB1143T |
參數(shù)屬性 | 2SB1143T 封裝/外殼為TO-225AA,TO-126-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP 50V 4A TO126ML |
功能描述 | Bipolar Transistor (-)50V, (-)4A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TO-126ML |
封裝外殼 | TO-225AA,TO-126-3 |
文件大小 |
320.82 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
7 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-2-1 14:06:00 |
2SB1143T規(guī)格書詳情
2SB1143T屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的2SB1143T晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
Features
? Adoption of FBET, MBIT processes
? Low saturation voltage
? Large current capacity and wide ASO
Applications
? Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipment
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
2SB1143T
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 包裝:
散裝
- 晶體管類型:
PNP
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
700mV @ 100mA,2A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
1μA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
200 @ 100mA,2V
- 頻率 - 躍遷:
150MHz
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-225AA,TO-126-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-126ML
- 描述:
TRANS PNP 50V 4A TO126ML
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
松下 |
11+ |
TO-252 |
634 |
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松下 |
21+ |
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NEC |
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NEC |
24+ |
TO126 |
15000 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
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NEC |
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