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2SB1160中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

2SB1160
廠商型號(hào)

2SB1160
功能描述

Silicon PNP Power Transistor
文件大小

127.14 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-1-31 23:00:00

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    2SB1160

  • 別名：

    2SB1160三極管、2SB1160晶體管、2SB1160晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    150V

  • 最大電流允許值：

    9A

  • 最大工作頻率：

    20MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    BD246D,2SA1186,2SA1227,2SA1386,2SB1361,

  • 最大耗散功率：

    100W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    B-45

  • vtest：

    150

  • htest：

    20000000

  • atest：

    9

  • wtest：

    100

2SB1160規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

? Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEo=-150V(Min)

? Good Linearity of hFE

? Wide Area of Safe Operation

? Complement to Type 2SD1715

APPLICATIONS

? Designed for high power amplifier applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    2SB1160

  • 制造商：

    ISC

  • 制造商全稱：

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述：

    Silicon PNP Power Transistors

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
SANYO/三洋
23+
NA/
179
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
 詢價(jià)
MAT
24+
TO3PL
58000
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)!
 詢價(jià)
PANASONIC丨松下
24+
TO3P
990000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
SANYO
TO-126
608900
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!
 詢價(jià)
24+
TOP-3FA
10000
全新
 詢價(jià)
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
 詢價(jià)
PANASONIC丨松下
22+
TO3P
12000
只做原裝、原廠優(yōu)勢(shì)渠道、假一賠十
 詢價(jià)
RENESAS/瑞薩
22+
TO126
20000
保證原裝正品,假一陪十
 詢價(jià)
SANYO/三洋
23+
TO-126
10000
公司只做原裝正品
 詢價(jià)
JAPAN
21+
TO-126
18
原裝現(xiàn)貨假一賠十
 詢價(jià)

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