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2SB1163中文資料ETC數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

2SB1163
廠商型號(hào)

2SB1163

功能描述

SI NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR HIGH POWER AMPLIFIER

文件大小

39.3 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

1 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 List of Unclassifed Manufacturers
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ETC

中文名稱

未分類制造商

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-24 17:42:00

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晶體管資料

  • 型號(hào):

    2SB1163

  • 別名:

    2SB1163三極管、2SB1163晶體管、2SB1163晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開(kāi)關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    180V

  • 最大電流允許值:

    15A

  • 最大工作頻率:

    20MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    2SA1302,2SA1553,2SB1317,2SB1429,

  • 最大耗散功率:

    150W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    B-44

  • vtest:

    180

  • htest:

    20000000

  • atest:

    15

  • wtest:

    150

2SB1163規(guī)格書詳情

Si NPN Triple Diffused Plabar High Power Amplifier Commplementary Pair with 2SB1163

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    2SB1163

  • 制造商:

    ISC

  • 制造商全稱:

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述:

    Silicon PNP Power Transistors

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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