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2SB1197A_R2_00001中文資料PANJIT數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2SB1197A_R2_00001
廠商型號

2SB1197A_R2_00001

功能描述

PNP Low Vce(sat) Transistor

絲印標識

B97

封裝外殼

SOT-23

文件大小

239.95 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Pan Jit International Inc.
企業(yè)簡稱

PANJIT

中文名稱

強茂股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-25 22:58:00

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2SB1197A_R2_00001規(guī)格書詳情

Features

? Silicon PNP epitaxial type

? Low Vce(sat) -0.5V(max)@Ic/Ib= -2A/-200mA

? High collector current capability

? Excellent DC current gain characteristics

? Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive.

? Green molding compound as per IEC61249 Std.

(Halogen Free)

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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