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2SB1201S-E分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

2SB1201S-E
廠商型號

2SB1201S-E

參數屬性

2SB1201S-E 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產品描述:TRANS PNP 50V 2A TP-FA

功能描述

Bipolar Transistor (-)50V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA
TRANS PNP 50V 2A TP-FA

封裝外殼

TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

文件大小

388.23 Kbytes

頁面數量

10

生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-1-8 17:49:00

2SB1201S-E規(guī)格書詳情

2SB1201S-E屬于分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由安森美半導體公司制造生產的2SB1201S-E晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言,它們仍然是首選技術。

Bipolar Transistor

(–)50V, (–)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA

Features

? Adoption of FBET, MBIT processes

? Large current capacitance and wide ASO

? Low collector-to-emitter saturation voltage

? Fast switching speed

? Small and slim package making it easy to make 2SB1201/2SD1801-used sets smaller

Applications

? Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipment

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    2SB1201S-E

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    700mV @ 50mA,1A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    140 @ 100mA,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    150MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應商器件封裝:

    TP-FA

  • 描述:

    TRANS PNP 50V 2A TP-FA

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