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2SB1201S-E分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
2SB1201S-E |
參數屬性 | 2SB1201S-E 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產品描述:TRANS PNP 50V 2A TP-FA |
功能描述 | Bipolar Transistor (-)50V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA |
封裝外殼 | TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 |
文件大小 |
388.23 Kbytes |
頁面數量 |
10 頁 |
生產廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導體】 |
中文名稱 | 安森美半導體公司官網 |
原廠標識 | |
數據手冊 | |
更新時間 | 2025-1-8 17:49:00 |
2SB1201S-E規(guī)格書詳情
2SB1201S-E屬于分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由安森美半導體公司制造生產的2SB1201S-E晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言,它們仍然是首選技術。
Bipolar Transistor
(–)50V, (–)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA
Features
? Adoption of FBET, MBIT processes
? Large current capacitance and wide ASO
? Low collector-to-emitter saturation voltage
? Fast switching speed
? Small and slim package making it easy to make 2SB1201/2SD1801-used sets smaller
Applications
? Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipment
產品屬性
更多- 產品編號:
2SB1201S-E
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
PNP
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
700mV @ 50mA,1A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
140 @ 100mA,2V
- 頻率 - 躍遷:
150MHz
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
- 供應商器件封裝:
TP-FA
- 描述:
TRANS PNP 50V 2A TP-FA
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
23+ |
NA |
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