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2SB1201S-E中文資料無(wú)錫固電數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

2SB1201S-E
廠商型號(hào)

2SB1201S-E

參數(shù)屬性

2SB1201S-E 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 50V 2A TP-FA

功能描述

isc Silicon PNP Power Transistor

文件大小

347.77 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ISC無(wú)錫固電

中文名稱

無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-12 17:22:00

2SB1201S-E規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

·Low Collector Saturation Voltage-

: VCE(sat)= -0.4V(Max)@IC= -1A

·Good Linearity of hFE

·Large Collector Current IC

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

APPLICATIONS

·Designed for power switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2SB1201S-E

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    700mV @ 50mA,1A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    140 @ 100mA,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    150MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TP-FA

  • 描述:

    TRANS PNP 50V 2A TP-FA

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
SANYO
22+
TO-252
4000
詢價(jià)
SANYO/三洋
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只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
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納立只做原裝正品13590203865
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TO-252
23+
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SOT-252
608900
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SANYO
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TO-252
7500
新進(jìn)庫(kù)存/原裝
詢價(jià)