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2SB1236

Marking：QR；Package：ATV；Power Transistor

PowerTransistor(-120V,-1.5A)2SB1236/2SB1186 PowerTransistor(120V,1.5A)2SC4132/2SD1857/2SD2343/2SD1763

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SB1236

Marking：QR；Package：ATV；Power Transistor (-120V , -1.5A)

PowerTransistor(-120V,-1.5A)2SB1236/2SB1186 PowerTransistor(120V,1.5A)2SC4132/2SD1857/2SD2343/2SD1763

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SB1236A

Marking：TV2；Package：ATV；Power Transistor (-160V , -1.5A)

Features 1)Highbreakdownvoltage.(BVCEO=-160V) 2)Lowcollectoroutputcapacitance. (Typ.30pFatVCB=10V) 3)Hightransitionfrequency.(fT=50MHZ) 4)Complementsthe2SD1918/2SD1857A.

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SB1236A

POWER TRANSISTOR

EpitaxialPlanarNPNSiliconTransistor TAPEDPOWERTRANSISTORPACKAGEFORUSEWITHANAUTOMATICPLACEMENTMACHINE)

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SB1237

Marking：B1237；Package：ATV；Medium Power Transistor

MediumPowerTransistor(-32V,-1A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.2V(Typ.) (IC/IB=-500mA/-50mA) 2)Compliments2SD1664/2SD1858 Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SB1237

Medium Power Transistor (-32V,??1A)

MediumPowerTransistor(-32V,-1A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.2V(Typ.) (IC/IB=-500mA/-50mA) 2)Compliments2SD1664/2SD1858 Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SB1238

Marking：TV2；Package：ATV；Medium power transistor (-80V, -0.7A)

Features 1)Highbreakdownvoltage,BVCEO=-80V,andhighcurrent,IC=-0.7A. 2)Complementsthe2SB1767/2SB1859/2SB1200F. Features 1)Highbreakdownvoltage,BVCEO=80V,andhighcurrent,IC=0.7A. 2)Complementsthe2SB1189/2SB1238/2SB889F.

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SB1238

Epitaxial Planar PNP Silicon Translstors

MediumPowerAmp. EpitaxialPlanarPNPSiliconTranslstors

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SB1238

MEDIUM POWER TRANSISTOR(-80V, -0.7A)

[ROHM] Features 1)Highbreakdownvoltage,BVCEO=-80V,andhighcurrent,IC=-0.7A. 2)Complementsthe2SB1767/2SB1859/2SB1200F. Features 1)Highbreakdownvoltage,BVCEO=80V,andhighcurrent,IC=0.7A. 2)Complementsthe2SB1189/2SB1238/2SB889F.

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

2SB1238

MEDIUM POWER TRANSISTOR

Features 1)Highbreakdownvoltage,BVCEO=-80V,andhighcurrent,IC=-0.7A. 2)Complementsthe2SB1767/2SB1859/2SB1200F. Features 1)Highbreakdownvoltage,BVCEO=80V,andhighcurrent,IC=0.7A. 2)Complementsthe2SB1189/2SB1238/2SB889F.

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

晶體管資料

  • 型號：

    2SB1230

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    110V

  • 最大電流允許值：

    15A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    2S1163,

  • 最大耗散功率：

    100W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    B-45

  • vtest：

    110

  • htest：

    999900

  • atest：

    15

  • wtest：

    100

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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 詢價(jià)
更多2SB123供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-3 16:00:00

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