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2SB1386中文資料雷卯電子數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2SB1386
廠商型號

2SB1386

參數(shù)屬性

2SB1386 封裝/外殼為TO-243AA;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP 20V 5A MPT3

功能描述

Low collector saturation voltage

文件大小

1.95535 Mbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Shanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd
企業(yè)簡稱

LEIDITECH雷卯電子

中文名稱

上海雷卯電子科技有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-11-18 15:27:00

晶體管資料

  • 型號:

    2SB1386

  • 別名:

    2SB1386三極管、2SB1386晶體管、2SB1386晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性質(zhì):

    表面帖裝型 (SMD)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    30V

  • 最大電流允許值:

    5A

  • 最大工作頻率:

    120MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    2SB1302,2SB1308,

  • 最大耗散功率:

    0.75W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    H-100

  • vtest:

    30

  • htest:

    120000000

  • atest:

    5

  • wtest:

    0.75

2SB1386規(guī)格書詳情

FEATURES

● Low collector saturation voltage

● Execllent current-to-gain characteristics

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2SB1386T100Q

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1V @ 100mA,4A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 500mA,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    120MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-243AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    MPT3

  • 描述:

    TRANS PNP 20V 5A MPT3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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