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2SB1411中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2SB1411
廠商型號

2SB1411

功能描述

Silicon PNP Darlington Power Transistor

文件大小

128.71 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-10 22:58:00

晶體管資料

  • 型號:

    2SB1411

  • 別名:

    2SB1411三極管、2SB1411晶體管、2SB1411晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl+Di

  • 性質(zhì):

    開關(guān)管 (S)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    100V

  • 最大電流允許值:

    2A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BDT60BF,2SB1024,2SB1226,2SB1282,

  • 最大耗散功率:

    20W

  • 放大倍數(shù):

    β=1500-15000

  • 圖片代號:

    B-10

  • vtest:

    100

  • htest:

    999900

  • atest:

    2

  • wtest:

    20

2SB1411規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

? Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V(BR)CEO=-100V(Min)

? High DC Current Gain-

: hFE= 1500(Min)@ (VCE= -3V, lc= -1A)

? Low Collector Saturation Voltage-

: VCE(sat)= -1.5V(Max)@ (lc= -1A, IB=-2mA)

APPLICATIONS

? High power switching applications.

? Hammer drive, pulse motor drive applications

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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