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2SB1430中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2SB1430
廠商型號(hào)

2SB1430

功能描述

Silicon PNP Darlington Power Transistor

文件大小

128.389 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-24 23:21:00

晶體管資料

  • 型號(hào):

    2SB1430

  • 別名:

    2SB1430三極管、2SB1430晶體管、2SB1430晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl+Di

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    100V

  • 最大電流允許值:

    5A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    2SB913,2SB1021,2SB1089,2SB1227,2SB1254,2SB1258,2SB1340,2SB1403,

  • 最大耗散功率:

    20W

  • 放大倍數(shù):

    β>2000

  • 圖片代號(hào):

    B-38

  • vtest:

    100

  • htest:

    999900

  • atest:

    5

  • wtest:

    20

2SB1430規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

? Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V(BR)CEO= -100V(Min)

? High DC Current Gain-

: hFE= 2000(Min)@ (VCE= -2V, IC= -2A)

? Low Collector Saturation Voltage-

: VCE(sat)= -1.5V(Max)@ (IC= -2A, IB= -2mA)

APPLICATIONS

? Designed for low-frequency power amplifiers and low speed switching applications.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    2SB1430

  • 制造商:

    Renesas Electronics

  • 功能描述:

    Bulk

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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