2SB1431中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
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廠商型號 |
2SB1431 |
功能描述 | Silicon PNP Darlington Power Transistor |
文件大小 |
131.96 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
2 頁 |
生產(chǎn)廠商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
企業(yè)簡稱 |
NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-3-3 17:31:00 |
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晶體管資料
- 型號:
- 別名:
2SB1431三極管、2SB1431晶體管、2SB1431晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家:
- 制作材料:
Si-P+Darl+Di
- 性質(zhì):
低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L
- 封裝形式:
直插封裝
- 極限工作電壓:
100V
- 最大電流允許值:
8A
- 最大工作頻率:
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù):
3
- 可代換的型號:
2SB913,2SB1020,2SB1099,2SB1228,2SB1255,2SB1283,2SB1344,2SB1391,
- 最大耗散功率:
25W
- 放大倍數(shù):
β>2000
- 圖片代號:
B-38
- vtest:
100
- htest:
999900
- atest:
8
- wtest:
25
2SB1431規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
? Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= -100V(Min)
? High DC Current Gain-
: hFE= 2000(Min)@ (VCE= -2V, IC= -3A)
? Low Collector Saturation Voltage-
: VCE(sat)= -1.5V(Max)@ (lc= -3A, IB= -3mA)
APPLICATIONS
? Designed for low-frequency power amplifiers and low-speed switching applications.
產(chǎn)品屬性
- 型號:
2SB1431
- 制造商:
Renesas Electronics
- 功能描述:
PNP
- 功能描述:
PNP Bulk
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
1738+ |
TO-220F |
8529 |
科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十! |
詢價 | ||
NEC |
24+ |
4326 |
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詢價 | |||
NEC |
21+ |
TO-220F |
8 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價 | ||
NEC |
24+ |
TO220 |
58000 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)! |
詢價 | ||
NEC |
23+ |
TO220 |
35890 |
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NEC |
TO-220 |
608900 |
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詢價 | |||
TOSHIBA |
24+ |
90000 |
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NEC |
24+ |
TO-220 |
16800 |
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NEC |
22+ |
TO-220F |
40256 |
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詢價 | ||
NEC |
2014+ |
174 |
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