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2SB1495分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2SB1495
廠商型號(hào)

2SB1495

參數(shù)屬性

2SB1495 封裝/外殼為TO-220-3 整包;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 100V 3A TO220NIS

功能描述

Silicon PNP Darlington Power Transistor

封裝外殼

TO-220-3 整包

文件大小

72.95 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-13 22:59:00

晶體管資料

  • 型號(hào):

    2SB1495

  • 別名:

    2SB1495三極管、2SB1495晶體管、2SB1495晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl

  • 性質(zhì):

    開(kāi)關(guān)管 (S)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

  • 極限工作電壓:

    100V

  • 最大電流允許值:

    3A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

  • 可代換的型號(hào):

    BDT60BF,2SB1226,2SB1250,2SB1282,

  • 最大耗散功率:

    20W

  • 放大倍數(shù):

    β>2000

  • 圖片代號(hào):

    NO

  • vtest:

    100

  • htest:

    999900

  • atest:

    3

  • wtest:

    20

2SB1495規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

? High DC Current Gain-

: hFE= 2000(Min)@ (VCE= -2V, lc=-2A)

? Low-Collector Saturation Voltage-

: VCE(satr -1.5V(Max.)@lc= -1.5A

? Complement to Type2SD2257

APPLICATIONS

? Designed for high power switchingapplications.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2SB1495,Q(M

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.5V @ 1.5mA,1.5A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    10μA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    2000 @ 2A,2V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220NIS

  • 描述:

    TRANS PNP 100V 3A TO220NIS

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
TOSHIBA/東芝
23+
NA/
1810
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票
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