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2SB1502

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ?HighDCCurrentGain- :hFE=5000(Min)@IC=-4A ?Low-CollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=-2.5V(Max.)@IC=-4A ?ComplementtoType2SD2275 ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SB1502

Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ?HighDCCurrentGain- :hFE=5000(Min)@lc=-4A ?Low-CollectorSaturationVoltage- :VCE(satr-2.5V(Max.)@lc=-4A ?ComplementtoType2SD2275 APPLICATIONS ?Designedforpoweramplifierapplications ?Optimumfor55WHiFioutputapplications.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司

2SB1502

Silicon PNP epitaxial planar type Darlington

SiliconPNPepitaxialplanartypeDarlington Forpoweramplification Complementaryto2SD2275 ■Features ●Optimumfor55WHiFioutput ●HighfowardcurrenttransferratiohFE:5000to30000 ●LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat):

PanasonicPanasonic Semiconductor

松下松下電器

2SB1503

Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For power amplification)

Forpoweramplification Complementaryto2SD2276 ■Features ●Optimumfor110WHiFioutput ●HighfowardcurrenttransferratiohFE:5000to30000 ●LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat):

PanasonicPanasonic Semiconductor

松下松下電器

2SB1503

Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ?HighDCCurrentGain- :hFE=5000(Min)@lc=-7A ?Low-CollectorSaturationVoltage- :VcE?ComplementtoType2SD2276 ?ComplementtoType2SD2276 APPLICATIONS ?Designedforpoweramplifierapplications ?Optimumfor11OWHiFioutputapplications.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司

2SB1503

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ·HighDCCurrentGain- :hFE=5000(Min)@IC=-7A ·Low-CollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=-2.5V(Max.)@IC=-7A ·ComplementtoType2SD2276 APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifierapplications ·Optimumfor110WHiFioutputapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SB1503

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION ·WithTO-3PLpackage ·Complementtotype2SD2276 ·HighDCcurrentgain ·Lowcollectorsaturationvoltage ·DARLINGTON APPLICATIONS ·Forpoweramplification ·Optimumfor110WHi-Fioutputapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

2SB1504

Silicon PNP epitaxial planar type darlington

SiliconPNPepitaxialplanartypedarlington Forpowerswitching ?HighforwardcurrenttransferratiohFE ?High-speedswitching ?Allowingautomaticinsertionwithradialtaping

PanasonicPanasonic Semiconductor

松下松下電器

2SB1507

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ?LowCollectorSaturationVoltage:VCE(sat)=-0.4(V)(Max)@IC=-4A ?GoodLinearityofhFE ?WideAreaofSafeOperation ?ComplementtoType2SD2280 APPLICATIONS ?Designedforrelaydrivers,high-speedinverters,converters.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司

2SB1507

isc Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ?LowCollectorSaturationVoltage:VCE(sat)=-0.4(V)(Max)@IC=-4A ?GoodLinearityofhFE ?WideAreaofSafeOperation ?ComplementtoType2SD2280 APPLICATIONS ?Designedforrelaydrivers,high-speedinverters,converters.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

晶體管資料

  • 型號：

    2SB1530

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質：

    低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    200V

  • 最大電流允許值：

    2A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數：

    3

  • 可代換的型號：

    2SA1304,2SA1306B,2SA1668,2SB940,2SB1096,2SB1186A,

  • 最大耗散功率：

    20W

  • 放大倍數：

  • 圖片代號：

    B-45

  • vtest：

    200

  • htest：

    999900

  • atest：

    2

  • wtest：

    20

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多2SB15供應商 更新時間2025-3-24 16:00:00

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