2SB1623分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
2SB1623 |
參數(shù)屬性 | 2SB1623 封裝/外殼為TO-220-3 整包;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP DARL 80V 4A TO220D-A1 |
功能描述 | Silicon PNP epitaxial planer type(For power amplification) |
封裝外殼 | TO-220-3 整包 |
文件大小 |
44.68 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
1 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Panasonic Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
Panasonic【松下】 |
中文名稱 | 松下電器官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-1-10 17:50:00 |
晶體管資料
- 型號(hào):
- 別名:
2SB1623三極管、2SB1623晶體管、2SB1623晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家:
- 制作材料:
Si-PNP
- 性質(zhì):
功率放大 (L)
- 封裝形式:
直插封裝
- 極限工作電壓:
60V
- 最大電流允許值:
4A
- 最大工作頻率:
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù):
3
- 可代換的型號(hào):
BDT60BF,BDT60CF,2SB1024,2SB1282,2SB1381,
- 最大耗散功率:
- 放大倍數(shù):
- 圖片代號(hào):
B-10
- vtest:
60
- htest:
999900
- atest:
4
- wtest:
0
2SB1623規(guī)格書詳情
Silicon PNP epitaxial planer type
For power amplification
■ Features
? High forward current transfer ratio hFE
? Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE
? Dielectric breakdown voltage of the package: >5 kV
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
2SB1623AP
- 制造商:
Panasonic Electronic Components
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)
- 包裝:
散裝
- 晶體管類型:
PNP - 達(dá)林頓
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
4V @ 20mA,5A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
500μA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
4000 @ 3A,3V
- 頻率 - 躍遷:
20MHz
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-220D-A1
- 描述:
TRANS PNP DARL 80V 4A TO220D-A1
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
MAT |
1738+ |
TO-220F |
8529 |
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詢價(jià) | ||
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TO-3PF |
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SK |
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TO-220F |
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詢價(jià) |