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2SB172

GE PNP ALLOY JUNCTION

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分類制造商

2SB1721

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-60V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=100(Min)@IC=-0.5A ·Fastswitchingspeed ·Largecurrentcapacity APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Driverstageamplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SB1721

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-60V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=100(Min)@IC=-0.5A ·Fastswitchingspeed ·Largecurrentcapacity APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Driverstageamplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SB1721-251

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-60V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=100(Min)@IC=-0.5A ·Fastswitchingspeed ·Largecurrentcapacity APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Driverstageamplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SB1721-252

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-60V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=100(Min)@IC=-0.5A ·Fastswitchingspeed ·Largecurrentcapacity APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Driverstageamplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SB1721

Silicon Power Transistors

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

2SB1721-Z

Silicon Power Transistors

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

2SB1722J0L

包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼:SC-89,SOT-490 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS PNP 100V 0.02A SSMINI3

Panasonic Electronic Components

Panasonic Electronic Components

晶體管資料

  • 型號:

    2SB172

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Ge-PNP

  • 性質:

    低頻或音頻放大 (LF)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    30V

  • 最大電流允許值:

    0.125A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    AC122,AC125,AC126,AC151,2N1191,2N1192,2N1193,2N11194,2SB54,2SB56,3AX52A,

  • 最大耗散功率:

    0.125W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    C-47

  • vtest:

    30

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.125

  • wtest:

    0.125

詳細參數(shù)

  • 型號:

    2SB172

  • 功能描述:

    TRANS PNP 100VCEO 20MA SSMINI-3

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路

  • 系列:

    -

  • 標準包裝:

    1

  • 晶體管類型:

    NPN 電流 -

  • 集電極(Ic)(最大):

    1A 電壓 -

  • 集電極發(fā)射極擊穿(最大):

    30V

  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):

    200mV @ 100mA,1A 電流 -

  • 集電極截止(最大):

    100nA 在某 Ic、Vce

  • 時的最小直流電流增益(hFE):

    300 @ 500mA,5V 功率 -

  • 最大:

    710mW 頻率 -

  • 轉換:

    100MHz

  • 安裝類型:

    表面貼裝

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應商設備封裝:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包裝:

    Digi-Reel®

  • 其它名稱:

    MMBT489LT1GOSDKR

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多2SB172供應商 更新時間2024-11-8 14:02:00