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2SB183100MA

LOW IR SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS

DESCRIPTION ?2SB183100MAisaschottkybarrierdiodechipsfabricatedinsiliconepitaxialplanartechnology; ?Duetospecialschottkybarrierstructure,thechipshaveverylowreverseleakagecurrent(typicalIR=0.002mA@Vr=100V)andmaximum150°Coperationjunctionte

SILANSilan Microelectronics Joint-stock

士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
SILAN
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更多2SB183100MA供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-11 14:08:00

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