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2SB539

SiliconPNPPowerTransistors

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

2SB539

SiliconPNPPowerTransistors

SAVANTIC

Savantic, Inc.

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iscSiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-120V(Min) ·HighPowerDissipation- :PC=100W(Max)@TC=25℃ ·ComplementtoType2SD287 APPLICATIONS ·Designedforaudiofrequencypoweramplifierapplications. ·Recommendedfor70~80Whigh-fidelityaudiof

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SB539

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION ·WithTO-3package ·Highpowerdissipation APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Recommendedforhigh-powerhigh-fidelityaudiofrequencyamplifieroutputstage

SAVANTIC

Savantic, Inc.

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原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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更多2SB539A供應商 更新時間2025-1-26 16:30:00

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