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2SB601中文資料錦美電子數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2SB601
廠商型號

2SB601

功能描述

Silicon PNP Power Transistors

文件大小

177.42 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.
企業(yè)簡稱

JMNIC錦美電子

中文名稱

泉州錦美電子有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-1-28 9:06:00

晶體管資料

  • 型號:

    2SB601

  • 別名:

    2SB601三極管、2SB601晶體管、2SB601晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl+Di

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    100V

  • 最大電流允許值:

    5A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BD264B,BD650,BD702,BD902,BDW24C,BDW64C,BDW64D,BD650,FC50B,

  • 最大耗散功率:

    30W

  • 放大倍數(shù):

    β>2000

  • 圖片代號:

    B-89

  • vtest:

    100

  • htest:

    999900

  • atest:

    5

  • wtest:

    30

2SB601規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·DARLINGTON

·High DC current gain

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·For low-frequency power amplifier and low-speed switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    2SB601

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全稱:

    NEC

  • 功能描述:

    PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR(DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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