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2SB612

Complement to Type 2SD582

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-140V(Min) ·HighPowerDissipation-:PC=100W(Max)@TC=25℃ ·ComplementtoType2SD582 APPLICATIONS ·Recommendedfor80~100Waudioamplifieroutputstage.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SB612

Silicon PNP Power Transistors

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    2SB612(A)

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    180V

  • 最大電流允許值：

    12A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    2

  • 可代換的型號(hào)：

    BD746F,MJ15016,2SA1147,2SB645,2SB600,2SB645,3CD10E,

  • 最大耗散功率：

    100W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    E-44

  • vtest：

    180

  • htest：

    999900

  • atest：

    12

  • wtest：

    100

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多2SB612供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-27 16:30:00

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