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2SB676中文資料錦美電子數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2SB676
廠商型號

2SB676
功能描述

Silicon PNP Power Transistors
文件大小

155.15 Kbytes
頁面數(shù)量

3 頁
生產(chǎn)廠商 Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.
企業(yè)簡稱

JMNIC【錦美電子】

中文名稱

泉州錦美電子有限公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二
更新時間

2025-2-10 10:53:00

晶體管資料

  • 型號：

    2SB676

  • 別名：

    2SB676三極管、2SB676晶體管、2SB676晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-P+Darl+Di

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    100V

  • 最大電流允許值：

    4A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    BD264B,BD650,BD702,BD902,BDW24C,BDW54C,BDW64C,FC50B,

  • 最大耗散功率：

    30W

  • 放大倍數(shù)：

    β>2000

  • 圖片代號：

    B-89

  • vtest：

    100

  • htest：

    999900

  • atest：

    4

  • wtest：

    30

2SB676規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·High DC Current Gain

: hFE=2000 @VCE=-2V, IC=-1A (Min.)

·DARLINGTON

APPLICATIONS

·For switching applications

·Hammer drive, pulse motor drive applications

·Power amplifier applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    2SB676

  • 制造商：

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述：

    Bipolar Junction Transistor, Darlington, PNP Type, TO-220AB

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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