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2SB884中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2SB884
廠商型號

2SB884

功能描述

Silicon PNP Darlington Power Transistor

文件大小

75.87 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-28 16:30:00

晶體管資料

  • 型號:

    2SB884

  • 別名:

    2SB884三極管、2SB884晶體管、2SB884晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl+Di

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    110V

  • 最大電流允許值:

    3A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BDW24C,BDW54D,BDW64D,2SB750,2SB751B,2SB765,2SB1105,2SB1339,

  • 最大耗散功率:

    30W

  • 放大倍數(shù):

    β=4000

  • 圖片代號:

    B-10

  • vtest:

    110

  • htest:

    999900

  • atest:

    3

  • wtest:

    30

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    2SB884

  • 制造商:

    Distributed By MCM

  • 功能描述:

    SUB ONLY SANYO TRANSISTOR TO-2 -110V -3A 30W BCE

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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