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2SB963

PNP SILICON EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR MP-3?

DESCRIPTION 2SB963-Zisdesignedforswitching,especiallyinHybridintegratedCircuits FEATURES ●HighGainhFE=2000to3000 ●Complementto2SD1286-Z

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

2SB963

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SB963-Z

PNP SILICON EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR MP-3?

DESCRIPTION 2SB963-Zisdesignedforswitching,especiallyinHybridintegratedCircuits FEATURES ●HighGainhFE=2000to3000 ●Complementto2SD1286-Z

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

2SB963-Z

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ?WithTO-252(DPAK)packaging ?VeryhighDCcurrentgain ?Monolithicdarlingtontransistorwithintegrated antiparallelcollector-emitterdiode ?Complementtotype2SD1286-Z ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIO

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SB963-Z

SILICON POWER TRANSISTOR

PNPSILICONEPITAXIALTRANSISTOR (DARLINGTONCONNECTION) DESCRIPTION The2SB963-Zisdesignedforswitching,especiallyinHybrid FEATURES ?HighGainhFE=2000to3000 ?Complementto2SD1286-Z

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SB963-Z_15

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION)

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SB963-Z

SILICONPOWERTRANSISTOR

PNPSILICONEPITAXIALTRANSISTOR (DARLINGTONCONNECTION) DESCRIPTION The2SB963-Zisdesignedforswitching,especiallyinHybrid FEATURES ?HighGainhFE=2000to3000 ?Complementto2SD1286-Z

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SB963-Z

iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor

DESCRIPTION ?WithTO-252(DPAK)packaging ?VeryhighDCcurrentgain ?Monolithicdarlingtontransistorwithintegrated antiparallelcollector-emitterdiode ?Complementtotype2SD1286-Z ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIO

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SB963-Z

PNPSILICONEPITAXIALDARLINGTONTRANSISTORMP-3?

DESCRIPTION 2SB963-Zisdesignedforswitching,especiallyinHybridintegratedCircuits FEATURES ●HighGainhFE=2000to3000 ●Complementto2SD1286-Z

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

晶體管資料

  • 型號：

    2SB963

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-P+Darl

  • 性質(zhì)：

    功率放大 （L）

  • 封裝形式：

  • 極限工作電壓：

    60V

  • 最大電流允許值：

    1A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

  • 可代換的型號：

    2SB895,2SB907,2SB1316,

  • 最大耗散功率：

    10W

  • 放大倍數(shù)：

    β=6000

  • 圖片代號：

    NO

  • vtest：

    60

  • htest：

    999900

  • atest：

    1

  • wtest：

    10

詳細參數(shù)

  • 型號：

    2SB963

  • 制造商：

    Distributed By MCM

  • 功能描述：

    SUB ONLY NEC TRANSISTOR SC-64-60V -1A 10W BCEC

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
SANYO/三洋
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一站配齊,原盒原包現(xiàn)貨原廠一手渠道聯(lián)系
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RENESAS/瑞薩
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專業(yè)供應(yīng)MOS/LDO/晶體管/有大量價格低
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NEC
18+
TO-252
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 詢價
更多2SB963供應(yīng)商 更新時間2024-12-27 10:36:00

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