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2SC1815T-L	文件：891.61 Kbytes Page：7 Pages	Low Frequency Amplifier NPN Epitaxial Silicon Transistor	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
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2SC1815	文件：142.85 Kbytes Page：4 Pages	AudioFrequencyVoltageAmplifierApplicationsLowNoiseAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SC1815	文件：215.31 Kbytes Page：4 Pages	AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERHIGHFREQUENCYOSCNPNTRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2SC1815	文件：168.25 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
2SC1815	文件：49.3 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description The2SC1815isdesignedforuseindriverstageofAFamplifiergeneralpurposeamplification.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
2SC1815	文件：243.05 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
2SC1815	文件：192.46 Kbytes Page：5 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Powerdissipation	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
2SC1815	文件：173.07 Kbytes Page：2 Pages	NPNEpitaxialPlanarTansistor NPNEpitaxialPlanarTansistor	FCIFirst Components International 戈采戈采企業(yè)股份有限公司	FCI
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2SC1815	文件：256.029 Kbytes Page：4 Pages	TOSHIBATransistorSiliconNPNEpitaxialType(PCTprocess) AudioFrequencyVoltageAmplifierApplications LowNoiseAmplifierApplications ?Highbreakdownvoltage,highcurrentcapability :VCEO=50V(min),IC=150mA(max) ?ExcellentlinearityofhFE :hFE(2)=100(typ.)atVCE=6V,IC=150mA :hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
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2SC1815	文件：1.07537 Mbytes Page：2 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Highvoltageandhighcurrent VCEO=50V(Min),IC=150mA(Max). ●ExcellenthFElinearity:hFE(2)=100(Typ)atVCE=6V,IC=150mA hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA=0.95(Typ)) ●Lownoise. ●Complementaryto2SA1015. APPLICATIONS ●Audiofrequencyg	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG

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