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2SC1815YTE2FT	文件：279.08 Kbytes Page：4 Pages	Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SC1815	文件：987.55 Kbytes Page：2 Pages	NPNTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
2SC1815	文件：2.69679 Mbytes Page：54 Pages	COLORTELEVISION	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SC1815	文件：2.69679 Mbytes Page：54 Pages	COLORTELEVISIONN1PSChassis	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SC1815	文件：215.02 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description DesignedforuseindriverstageofAFamplifiergeneralpurposeamplification.	DCCOM Dc Components	DCCOM
2SC1815	文件：188.02 Kbytes Page：2 Pages	NPNTypePlasticEncapsulateTransistors FEATURES ?PowerDissipation PCM:0.4W(Ta=25°C) ?CollectorCurrent ICM:0.15A ?Collector-BaseVoltage V(BR)CBO:60V	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SC1815	文件：142.23 Kbytes Page：2 Pages	NPNTransistor Features ●Powerdissipation	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
2SC1815	文件：602.02 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNEpitaxialType(PCTprocess) AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications DriverStageAmplifierApplications ?Highvoltageandhighcurrent: VCEO=50V(min), IC=150mA(max) ?ExcellenthFElinearity:hFE(2)=100(typ.) atVCE=6V,IC=150mA :hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SC1815	文件：142.85 Kbytes Page：4 Pages	AudioFrequencyVoltageAmplifierApplicationsLowNoiseAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SC1815	文件：212.87 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNEpitaxailType(forAudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications) AudioFrequencyVoltageAmplifierApplications LowNoiseAmplifierApplications ?Highbreakdownvoltage,highcurrentcapability :VCEO=50V(min),IC=150mA(max) ?ExcellentlinearityofhFE :hFE(2)=100(typ.)atVCE=6V,IC=150mA :hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SC1815	文件：168.25 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
2SC1815	文件：49.3 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description The2SC1815isdesignedforuseindriverstageofAFamplifiergeneralpurposeamplification.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
2SC1815	文件：243.05 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
2SC1815	文件：192.46 Kbytes Page：5 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Powerdissipation	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
2SC1815	文件：173.07 Kbytes Page：2 Pages	NPNEpitaxialPlanarTansistor NPNEpitaxialPlanarTansistor	FCIFirst Components International 戈采戈采企業(yè)股份有限公司	FCI
2SC1815	文件：169.49 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNTransistor DESCRIPTION ?HighVoltageandHighCurrent Vceo=50V(Min.),Ic=150mA(Max) ?ExcellenthFELinearity ?LowNoise ?ComplementtoType2SA1015(O,Y,GRclass) APPLICATIONS ?AudiofrequencygeneralpurposeamplifierApplications ?Driverstageamplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SC1815	文件：256.029 Kbytes Page：4 Pages	TOSHIBATransistorSiliconNPNEpitaxialType(PCTprocess) AudioFrequencyVoltageAmplifierApplications LowNoiseAmplifierApplications ?Highbreakdownvoltage,highcurrentcapability :VCEO=50V(min),IC=150mA(max) ?ExcellentlinearityofhFE :hFE(2)=100(typ.)atVCE=6V,IC=150mA :hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SC1815	文件：279.37 Kbytes Page：4 Pages	AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SC1815	文件：1.07537 Mbytes Page：2 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Highvoltageandhighcurrent VCEO=50V(Min),IC=150mA(Max). ●ExcellenthFElinearity:hFE(2)=100(Typ)atVCE=6V,IC=150mA hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA=0.95(Typ)) ●Lownoise. ●Complementaryto2SA1015. APPLICATIONS ●Audiofrequencyg	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
2SC1815	文件：235.34 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
2SC1815Y
功能描述：
TRANSISTOR NPN 150MA 50V TO-92
RoHS：
是
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路
系列：
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1
晶體管類型：
NPN 電流 -
集電極(Ic)（最大）：
1A 電壓 -
集電極發(fā)射極擊穿（最大）：
30V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）：
200mV @ 100mA，1A 電流 -
集電極截止（最大）：
100nA 在某 Ic、Vce
時(shí)的最小直流電流增益(hFE)：
300 @ 500mA，5V 功率 -
最大：
710mW 頻率 -
轉(zhuǎn)換：
100MHz
安裝類型：
表面貼裝
封裝/外殼：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
SOT-23-3（TO-236）
包裝：
Digi-Reel®
其它名稱：
MMBT489LT1GOSDKR

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2SC1815YTE2FT	Toshiba	24+	TO-92	7500		詢價(jià)
深圳市弘為電子有限公司	2SC1815YTE2FT	Toshiba	24+	原廠封裝	5929	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市鵬順微電子科技有限公司	2SC1815YTE2FT	Toshiba	2022+	原廠原包裝	8600	全新原裝支持表配單中國著名電子元器件獨(dú)立分銷	詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	2SC1815YTE2FTB	Toshiba	23+	TO-3P	6680	全新原裝優(yōu)勢	詢價(jià)
深圳市藍(lán)山航業(yè)科技有限公司	2SC1815YTE2T	tosh	24+		500000	行業(yè)低價(jià),代理渠道	詢價(jià)
深圳市科芯源微電子有限公司	2SC1815Y其他被動(dòng)元件	TOSHIBA/東芝	24+	TO92	58000	全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)!	詢價(jià)
深圳市仟禧電子有限公司	2SC1815-Y其他被動(dòng)元件	TOSHIBA/東芝	22+	TO92	20000	保證原裝正品,假一陪十	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	2SC1815-Y其他被動(dòng)元件	TOSHIBA/東芝	23+	TO-92	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳廊盛科技有限公司	2SC1815-Y其他被動(dòng)元件	TOSHIBA/東芝	2022	TO-92	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價(jià)
深圳硅原半導(dǎo)體有限公司	2SC1815-Y其他被動(dòng)元件	TOSHIBA/東芝	23+	TO92	28533	原盒原標(biāo),正品現(xiàn)貨誠信經(jīng)營價(jià)格美麗假一罰十!	詢價(jià)

更多2SC1815Y供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-19 14:30:00

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