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2SC2235分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2SC2235
廠商型號(hào)

2SC2235
參數(shù)屬性

2SC2235 封裝/外殼為TO-226-3，TO-92-3 長(zhǎng)體；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 120V 0.8A TO92MOD
功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor
封裝外殼

TO-226-3，TO-92-3 長(zhǎng)體
文件大小

308.89 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

3 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ISC【無錫固電】

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-29 23:03:00

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    2SC2235

  • 別名：

    2SC2235三極管、2SC2235晶體管、2SC2235晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    通用型 （Uni）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    120V

  • 最大電流允許值：

    0.8A

  • 最大工作頻率：

    120MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    BF391,2SC2383,2SC3228,2SD667,2SD1812,3DA88B,

  • 最大耗散功率：

    0.9W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    A-12

  • vtest：

    120

  • htest：

    120000000

  • atest：

    0.8

  • wtest：

    0.9

2SC2235規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage

:VCEO= 120V(Min)

·DC Current Gain

: hFE= 80-240@ (VCE= 5V, IC= 0.1A)

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

APPLICATIONS

·TV Horizontal Deflection Output Application

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    2SC2235-O(FA1,F,M)

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    1V @ 50mA，500mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    80 @ 100mA，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    120MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-226-3，TO-92-3 長(zhǎng)體

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-92MOD

  • 描述：

    TRANS NPN 120V 0.8A TO92MOD

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
TOS
24+
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16800
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