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2SC2655	文件：149.63 Kbytes Page：5 Pages	PowerAmplifierApplicationsPowerSwitchingApplications PowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(max)(IC=1A) ?Highcollectorpowerdissipation:PC=900mW ?High-speedswitching:tstg=1.0μs(typ.) ?Complementaryto2SA1020.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SC2655	文件：125.97 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:900mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:50V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司	WINNERJOIN
2SC2655	文件：1.43171 Mbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-92LMPlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-92LMPlasticPackage. Features Lowsaturationvoltage,highspeedswitchingtime,complementaryto2SA1020. Applications Poweramplifierandswitchingapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
2SC2655	文件：277.17 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(Max)(IC=1A) ●Highspeedswitchingtime:tstg=1μs(Typ.) ●Complementaryto2SA1020	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
2SC2655	文件：259.7 Kbytes Page：4 Pages	POWERAMPLIFIERAPPLICATIONSPOWERSWITCHINGAPPLICATIONS	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2SC2655	文件：255.22 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowTransistor DESCRIPTION ?SiliconNPNepitaxialtype ?Lowsaturationvoltage ?Complementaryto2SA1020 ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ?Poweramplifierapplications ?Powerswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SC2655	文件：3.69215 Mbytes Page：5 Pages	TO-92LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●LowSaturationVoltage:VCE(sat)=0.5V(Max)(IC=1A) ●HighSpeedSwitchingTime:tstg=1μs(Typ.) ●Complementaryto2SA1020	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司	JIANGSU
2SC2655	文件：217.8 Kbytes Page：3 Pages	NPNPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES -Lowsaturationvoltage：VCE(sat)=0.5V(Max)(IC=1A) -Highspeedswitchingtime：tstg=1μs(Typ.) -Complementaryto2SA1020	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SC2655	文件：210.83 Kbytes Page：4 Pages	POWERAMPLIFIERAPPLICATIONSPOWERSWITCHINGAPPLICATIONS	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2SC2655	文件：282.69 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeTransistors NPNGeneralPurposeTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
2SC2655	文件：139.74 Kbytes Page：5 Pages	SiliconNPNEpitaxialType(PCTProcess)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SC2655	文件：61.58 Kbytes Page：4 Pages	POWERAMPLIFIERAPPLICATIONSPOWERSWITCHINGAPPLICATIONS POWERAMPLIFIERAPPLICATIONSPOWERSWITCHINGAPPLICATIONS FEATURES Lowsaturationvoltage:VCE(SAT)=0.5V(Max.) Highspeedswitchingtime:tstg=1.0μs(Typ.)	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2SC2655	文件：179.48 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTOR(POWERAMPLIFIER,SWITCHINGAPPLICATIONS) PowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(max)(IC=1A) ?Highcollectorpowerdissipation:PC=900mW ?High-speedswitching:tstg=1.0μs(typ.) ?Complementaryto2SA1020.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SC2655	文件：1.56524 Mbytes Page：5 Pages	TO-92MODPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES LowSaturationVoltage:VCE(sat)=0.5V(Max)(IC=1A) HighSpeedSwitchingTime:tstg=1μs(Typ.) Complementaryto2SA1020	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
2SC2655	文件：6.49885 Mbytes Page：126 Pages	COLOURTELEVISIONC9PJChassis	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SC2655	文件：2.69679 Mbytes Page：54 Pages	COLORTELEVISION	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SC2655	文件：2.69679 Mbytes Page：54 Pages	COLORTELEVISIONN1PSChassis	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SC2655L	文件：622.41 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlasticEncapsulatedTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SC2655L-O	文件：622.41 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlasticEncapsulatedTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SC2655L-O	文件：498.23 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
2SC2655-Y(F,M)
功能描述：
兩極晶體管 - BJT Transistor NPN, 50V, 2A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
PNP 集電極—基極電壓
VCBO：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
VEBO：
- 6 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：
直流集電極/Base Gain hfe
Min：
100 A
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	2SC2655-Y(F,M)	TOSHIBA	23+	LSTM-BIP	7000	專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	2SC2655-Y(F,M)	TOSHIBA	23+	LSTM-BIP	7000	專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市聯(lián)世界科技有限公司	2SC2655-Y(HIT,CF)	TOSHIBA	11+		588	原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存價(jià)優(yōu)	詢價(jià)
深圳市鵬順微電子科技有限公司	2SC2655-Y(HIT,F,M)	Toshiba Semiconductor and Stor	2022+	TO-92MOD	38550	全新原裝支持表配單中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷	詢價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	2SC2655-Y(HITFM)	Toshiba Semiconductor and Stor	24+	TO-226-3 TO-92-3 長(zhǎng)體	9350	獨(dú)立分銷商公司只做原裝誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證	詢價(jià)
深圳市得捷芯城科技有限公司	2SC2655-Y(TE6,F,M)	TOSHIBA/東芝	23+	NA/	22	優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票	詢價(jià)
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	2SC2655-Y(TE6,F,M)	TOSHIBA	23+	TO-92	7000		詢價(jià)
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深圳廊盛科技有限公司	2SC2655-Y(TE6,F,M)功率三極管	TOSHIBA/東芝	2022	TO-92L	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價(jià)

更多2SC2655-Y(F,M)供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-3 15:00:00

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