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2SC2712GT1G中文資料安森美半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2SC2712GT1G
廠商型號

2SC2712GT1G

功能描述

Medium Frequency NPN Amplifier Transistor 50 V, 200 mA, 80 MHz

文件大小

128.96 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-5 20:00:00

2SC2712GT1G規(guī)格書詳情

The 2SC2712GT1G is designed for low to medium frequency applications such as wireless toys. The targeted design enables improved performance versus the industry standard MMBT3904* in some key parametric specifications.

Features

? Lower VCE(sat)*

? Higher Gain (hfe)*

? Higher Breakdown Voltage Rating*

? Moisture Sensitivity Level: 1

? This is a Pb?Free Device

Benefits

? Longer Battery Life

? Improved Performance Through Targeted Design

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    2SC2712GT1G

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT 0.15A 60V NPN

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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