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2SC2786

NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR

PRE-AMPLIFIER,LOWLEVEL&LOWNOISE *ComplementtoS9015LT1 *CollectorCurrent:Ic=100mA *Collector-EmitterVoltage:Vce=45V *HighTotalPowerDissipation:Pc=225mW *HighHfeAndGoodLinearity

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司

2SC2786

NPNSILICONTRANSISTOR

DESCRIPTION The2SC2786isdesignedforuseinFMRFamplifierandlocaloscillatorofFMtuner. FEATURES ●Highgainbandwidthproduct(fT=600MHzTYP.) ●Smalloutputcapacitance(Cob=1.0pFTYP.) ●Lownoisefigure(NF=3.0dBTYP.@100MHz)

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

ST2SC2786

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forFMRFamplifierandlocaloscillatorofFMtuner. ThetransistorissubdividedintothreegroupsM,L, andK,accordingtoitsDCcurrentgain. Onspecialrequest,thesetransistorscanbe manufacturedindifferentpinconfigurations. Features 1)

SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司

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更多2SC2786(M)-T供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-22 17:00:00

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