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2SC2981

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ?Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(sus)=800V(Min) ?Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.0V(Max)@lc=2A ?FastSwitchingSpeed APPLICATIONS ?Designedforhigh-voltage,high-speedandhighpowerswitchingapplications.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

2SC2981

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ?WithTO-3package ?Highvoltatge ?Highspeed APPLICATIONS ?Forhighvoltatge,highspeedandpowerswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SC2981

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ?WithTO-3package ?Highvoltatge ?Highspeed APPLICATIONS ?Forhighvoltatge,highspeedandpowerswitchingapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

2SC2982

TRANSISTOR (STOROBO FLASH, MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

StoroboFlashApplications MediumPowerAmplifierApplications ?HighDCcurrentgainandexcellentlinearity :hFE(1)=140to600(VCE=1V,IC=0.5A) :hFE(2)=70(min),140(typ.),(VCE=1V,IC=2A) ?Lowsaturationvoltage :VCE(sat)=0.5V(max)(IC=2A,IB=50mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC2982

Medium Power Amplifier Applications

■Features ●Lowsaturationvoltage ●Smallflatpackage ●PC=1.0to2.0W(mountedonaceramicsubstrate) ●Complementaryto2SA1314

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

2SC2983

TRANSISTOR (POWER, DIRVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS)

PowerAmplifierApplications DriverStageAmplifierApplications ?Hightransitionfrequency:fT=100MHz(typ.) ?Complementaryto2SA1225

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC2983

NPN Silicon Epitaxial Transistor

Features ●HighTransitonFrequency:Ft=100MHz(TYP.)

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

2SC2983

TO-251-3L Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighTransitionFrequency

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

2SC2983

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ?ExcellentlinearityofhFE ?Lowcollector-to-emittersaturationvoltage ?Fastswitchingspeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS ?Hightransistorfrequency

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SC2983

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

晶體管資料

  • 型號：

    2SC2981

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    開關(guān)管 （S）_功率放大 （L）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    900V

  • 最大電流允許值：

    8A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    2

  • 可代換的型號：

    BU526,BU536,BUV47A,BUW12A,2SC3061,2SC3153,

  • 最大耗散功率：

    100W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    E-44

  • vtest：

    900

  • htest：

    999900

  • atest：

    8

  • wtest：

    100

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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TO-3
10000
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ISC
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正品原裝貨價格低
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全新原裝現(xiàn)貨
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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更多2SC298供應商 更新時間2025-1-21 10:20:00

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