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2SC3076

Power Amplifier Applications Power Switching Applications

PowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications ?Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(max)(IC=1A) ?Excellentswitchingtime:tstg=1.0μs(typ.) ?Complementaryto2SA1241

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC3076

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC3076

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=50V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=70(Min)@IC=0.5A ·Fastswitchingspeed ·Largecurrentcapacity APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Driverstageamplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SC3076

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=50V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=70(Min)@IC=0.5A ·Fastswitchingspeed ·Largecurrentcapacity APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Driverstageamplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SC3076

TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER, SWITCING APPLICATIONS)

PowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications ?Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(max)(IC=1A) ?Excellentswitchingtime:tstg=1.0μs(typ.) ?Complementaryto2SA1241

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC3076

Silicon NPN Epitaxial

Features ●LowCollectrorSaturationVoltage:VCE(sat)=0.5V(Max.)(IC=1A) ●ExcellentSwitchingTime:tstg=1.0μs(Typ.)

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

2SC3076

Power Amplifier Applications Power Switching Applications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC3076-251

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=50V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=70(Min)@IC=0.5A ·Fastswitchingspeed ·Largecurrentcapacity APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Driverstageamplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SC3076-252

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=50V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=70(Min)@IC=0.5A ·Fastswitchingspeed ·Largecurrentcapacity APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Driverstageamplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SC3076Y

Power Amplifier Applications Power Switching Applications

PowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications ?Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(max)(IC=1A) ?Excellentswitchingtime:tstg=1.0μs(typ.) ?Complementaryto2SA1241

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC3076_05

Power Amplifier Applications Power Switching Applications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

晶體管資料

  • 型號：

    2SC3076

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    50V

  • 最大電流允許值：

    2A

  • 最大工作頻率：

    80MHZ

  • 引腳數：

    3

  • 可代換的型號：

    2SD1078,2SD1221,2SD1448,2SD1758,2SD1801,2SD1802,2SD2178,

  • 最大耗散功率：

    10W

  • 放大倍數：

  • 圖片代號：

    A-80

  • vtest：

    50

  • htest：

    80000000

  • atest：

    2

  • wtest：

    10

詳細參數

  • 型號：

    2SC3076

  • 制造商：

    Distributed By MCM

  • 功能描述：

    SUB ONLY TOSHIBA TRANS. SC-6450V 2A 1W BCE

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
TOSHIBA
2024
SOT252
13500
16余年資質 絕對原盒原盤代理渠道 更多數量
 詢價
TOSHIBA/東芝
23+
TO-252
360000
專業(yè)供應MOS/LDO/晶體管/有大量價格低
 詢價
TOSHIBA
24+
SOT252
30000
詢價
KEXIN
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
TOSHIBA
19+
TO-251
59260
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；
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TOSHIBA
24+
TO-252
16800
絕對原裝進口現(xiàn)貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!?
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TOSHIBA/東芝
23+
TO-252
24190
原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢
 詢價
NEC
21+
TO-252
30000
只做正品原裝現(xiàn)貨
 詢價
TOSHIBA/東芝
22+
SOT252
20000
保證原裝正品,假一陪十
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TOSHIBA/東芝
2021+
SOT252
100500
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨
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更多2SC3076供應商 更新時間2025-1-5 15:14:00

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