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2SC3102

NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR)

DESCRIPTION 2SC3102isasiliconNPNepitaxialplanartypetransistorspecificallydesignedforhighpoweramplifiersapplicationsinUHFband. APPLICATIONS Foroutputstageof50WpoweramplifiersinUHFband.

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱電機三菱電機株式會社

2SC3102

RF POWER TRANSISTOR NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE

DESCRIPTION 2SC3102isasiliconNPNepitaxialplanartypetransistorspecificallydesignedforhighpoweramplifiersapplicationsinUHFband. APPLICATIONS Foroutputstageof50WpoweramplifiersinUHFband.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

2SC3103

NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR)

DESCRIPTION 2SC3103isasiliconNPNepitaxialplanartypetransistorspecificallydesignedforUHFpoweramplifierapplications. APPLICATION Fordrivestageof5Wpoweramplifiersandoutputstageofupto2WpoweramplifiersinUHFbandportabletyperadiosets.

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱電機三菱電機株式會社

2SC3110

Si NPN Epitaxial Planar

SiNPNEpitaxialPlanar RFWidebandLow-noiseAmplifier

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分類制造商

2SC3110

isc Silicon NPN RF Transistor

SiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION ·LowNoise ·HighGain ·HighCurrent-GainBandwidthProduct APPLICATIONS ·DesignedforuseinRFwidebandlownoiseamplifier.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SC3112

TRANSISTOR (FOR AUDIO AMPLIFIER AND SWITCHING APPLICATIONS)

ForAudioAmplifierandSwitchingApplications ?HighDCcurrentgain:hFE=600~3600 ?Highbreakdownvoltage:VCEO=50V ?Highcollectorcurrent:IC=150mA(max)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC3113

TRANSISTOR (FOR AUDIO AMPLFIER AND SWITCHING APPLICATIONS)

ForAudioAmplifierandSwitchingApplications ?HighDCcurrentgain:hFE=600~3600 ?Highbreakdownvoltage:VCEO=50V ?Highcollectorcurrent:IC=150mA(max) ?Smallpackage

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC3113

MINI PACKAGE SERIES

Application GeneralPurpose> LowNoise HighVoltage HighCurrent HighCurrent LowImpedanceLowNoise(NEW AudioDrive&Out NEW HighB Muting&SW FMRF,MIXOSC AMCONV.FM/AMIF AMFF,CONVIF FM/AMRF,MIXOSC Application GeneralPurpose HighIYfslLowNoise AnalogSW&Ge

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC3114

High-VEBO,AF Amp Applications

High-VEBO,AFAmpApplications Features ·HighVEBO. ·WideASOandhighlyresistanttobreakdown.

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機株式會社

2SC3114

TO-92 Plastic Package Transistors (NPN)

TO-92PlasticPackageTransistors(NPN)

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

晶體管資料

  • 型號：

    2SC3102

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    超高頻/特高頻 （UHF）_功率放大 （L）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    35V

  • 最大電流允許值：

    18A

  • 最大工作頻率：

    520MHZ

  • 引腳數(shù)：

    4

  • 可代換的型號：

    2SC2915,

  • 最大耗散功率：

    65W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    G-256

  • vtest：

    35

  • htest：

    520000000

  • atest：

    18

  • wtest：

    65

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    2SC31

  • 制造商：

    NJSEMI

  • 制造商全稱：

    New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

  • 功能描述：

    RF POWER TRANSISTOR NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
MITSUBIS
2019+
SMD
6992
原廠渠道 可含稅出貨
 詢價
MITSUBISHI/三菱
23+
1688
房間現(xiàn)貨庫存:QQ:373621633
 詢價
MITSUBISHI/三菱
19+
MODULE
1290
主打模塊,大量現(xiàn)貨供應(yīng)商QQ2355605126
 詢價
MITSUBISHI/三菱
22+
TO-59
89
詢價
富士
10+
主營模塊
500
原裝正品,絕對正品,現(xiàn)貨供應(yīng)
 詢價
MITSUBIS
23+
高頻管
655
專營高頻管模塊,全新原裝!
 詢價
MITSUBIS
23+
高頻管
5000
原裝正品,假一罰十
 詢價
MITSUBISHI
24+
三極管
3560
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
24+
800
詢價
MITSUBISHI
23+
NA
25060
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
更多2SC31供應(yīng)商 更新時間2025-1-20 16:04:00

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