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2SC3122

iscSiliconNPNRFTransistor

DESCRIPTION ·HighGain- :Gpe=24dBTYP.@f=200MHz ·LowNoise- :NF=2.0dBTYP.@f=200MHz APPLICATIONS ·DesignedforTVVHFRFamplifierapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SC3122

SiliconNPNEpitaxial

Features ●HighGain:Gpe=24dB(Typ.)(f=200MHz) ●LowNoise:NF=2.0dB(Typ.)(f=200MHZ) ●ExcellentForwardAGCCharacteristics

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

2SC3122

TRANSISTOR(TVVHFRFAMPLIFIERAPPLICATIONS)

TVVHFRFAmplifierApplications ?Highgain:Gpe=24dB(typ.)(f=200MHz) ?Lownoise:NF=2.0dB(typ.)(f=200MHz) ?ExcellentforwardAGCcharacteristics

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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TO-3P
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SOT-23
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TOSHIBA/東芝
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SOT-23
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SOT-23
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更多2SC3122V供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-23 10:30:00