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2SC3218-M	文件：121.6 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR 860 MHZ WIDEBAND POWER AMPLIFIER INDUSTRIAL USE NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORFOR860MHZWIDEBANDPOWERAMPLIFIERINDUSTRIALUSE	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
2SC3218-M	文件：175.61 Kbytes Page：10 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR 860-MHz WIDEBAND POWER AMPLIFIER INDUSTRIAL USE FEATURES ?Highgainandhighpoweroutputat860MHz Pout=52W@VCC=28V,Pin=10W,classAB ?Push-pullstructureallowseasydesignofwidebandamplifier ?Internalemitterbalanceresistor ?Internalimpedancematchingcircuit ?Highreliabilityduetogoldelectrodes	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS

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NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR 860 MHZ WIDEBAND POWER AMPLIFIER INDUSTRIAL USE

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NECRenesas Electronics America

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NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR 860-MHz WIDEBAND POWER AMPLIFIER INDUSTRIAL USE

FEATURES ?Highgainandhighpoweroutputat860MHz Pout=52W@VCC=28V,Pin=10W,classAB ?Push-pullstructureallowseasydesignofwidebandamplifier ?Internalemitterbalanceresistor ?Internalimpedancematchingcircuit ?Highreliabilityduetogoldelectrodes

RENESASRenesas Technology Corp

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型號(hào)：
2SC3218-M
制造商：
NEC
制造商全稱：
NEC
功能描述：
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR 860 MHZ WIDEBAND POWER AMPLIFIER INDUSTRIAL USE

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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